Статья: Фоточувствительные эпитаксиальные пленки PbSe1-хТех<Ga> (2012)

Читать онлайн

Проведено исследование эпитаксиальных пленок PbSe1-xTex<Ga>, полученных на диэлектрических подложках BаF2. Изопериодичность кристаллических решеток и близость коэффициентов термического расширения подложки и выращенных пленок PbSe1-xTex (х = 0,2) дали возможность получения пленок с совершенной структурой и высокими электрическими параметрами. Изготовлены элементы, фоточувствительные в области спектра 3—5 мкм при 77 К. Максимум фоточувствительности соответствует λmax = 5 мкм

The results of research of epitaxial films of PbSе1-хТеx<Ga> (NGa ≤ 0.8 аt. %) received on dielectric substrates ВаF2 (111) and manufacturing of photosensitive elements on their basis have been presented. Isoperiodicity of crystal lattices and proximity of the thermal expansion factors for a substrate and grown PbSе1-xТеx (х = 0.2) films has enabled us to reception the films with perfect structure and high electric parameters. On the basis of the received films elements have been made which are photosensitive in the 3—5 µm range of the spectrum. The photosensitivity maximum corresponds to λmax = 5 µm

Ключевые фразы: эпитаксиальная пленка, фоточувствительность, ик-диапазон
Автор (ы): Фарзалиев Сабир Саидрза оглы (Farzaliev S. S.), Нуриев Идаят Рагим оглы, Садыгов Рафиг Микаил оглы, Бархалов Бархал Шабан оглу
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
Для цитирования:
ФАРЗАЛИЕВ С. С., НУРИЕВ И. Р., САДЫГОВ Р. М., БАРХАЛОВ Б. Ш. ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ PBSE1-ХТЕХ<GA> // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2012. №1
Текстовый фрагмент статьи
Моя история просмотров (10)
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.