Из приведенных исследований видно, что спектры ТСЛ подтвердили наличие всех типов релаксаторов, существование которых мы доказали по спектрам ТСТД, электропроводности и tgδ(ν, Т), и, в итоге, объяснили механизм диэлектрической релаксации и протонного транспорта, в котором выявлены следующие особенности.
1. Показано, что чистой протонной проводимости, аналогичной электронной, не существует. Имеет место прыжковая диффузия протонов посредством как термоактивационных, так и туннельных переходов через кристаллическую решетку с последующим образованием и разрушением ионных дефектов Н3О+ и ОН-, которые являются ответственными за электрическую проводимость кристаллических материалов наравне с протонами. При этом происходит изменение ориентации протонированных ионов НSiO43- (силикаты), HSO43- (сульфаты), HIO3- (иодаты) за счет туннельных переходов протонов внутри этих ионов.
2. Впервые дано объяснение отрицательных токов ТСД в кристаллах α-LiIO3, основанное на существовании “ложных” петель гистерезиса электропроводности, и дано объяснение влияния анизотропии на спектры ТСТД. Обоснована природа сп ектров tgδ(ν, Т), удельной электропроводности и ТСТД ряда кристаллических материалов.
3\. Теоретически и экспериментально показано существование туннельного эффекта для протонов в кристаллических материалах и разработана диагностика температуры его проявления\. Впервые показано\, что эта температура зависит как от типа кристалла\, так и от температуры прокаливания\, т\. е\. является характеристикой диэлектриков и полупроводников n\-типа \(с примесями типа HCl\) и p\-типа \(с примесями типа NH4OH\)\.
4. Показано, что по спектру ТСТД можно предсказать, какие дефекты структуры и при какой температуре могут вызвать люминесценцию, что существенно упростит диагностику лазерных кристаллов. Это весьма существенно, поскольку при контакте излучения с поверхностью кристалла происходит накопление напряжений даже при малой мощности, в частности, происходит растрескивание по плоскостям спайности или границам блоков, приводя к уменьшению лучевой прочности кристалла, росту плотности дислокаций и поглощению света в кристалле [9].
Таким образом, в работе решена одна из фундаментальных проблем исследования низкотемпературного протонного транспорта в электроизоляционных и оптических кристаллах.