Существует проблема обоснования протонной релаксации и проводимости. На примере модельного кристалла льда, а также сульфатов, силикатов и иодатов доказана природа максимумов термостимулированных токов, tgδ(ν, Τ) и проводимости, объяснен механизм туннелирования и прыжковой диффузии протонов при низких температурах. Предложен механизм диэлектрической релаксации и протонного транспорта в кристаллах, на основе которого разработан ряд практических способов исследования и методов диагностики, защищенных патентами.
В настоящее время растёт интерес к протонным проводникам и полупроводникам, поскольку самым безопасным и легко управляемым способом транспорта водорода является протонный перенос в твердотельных протонных проводниках. Достаточно полно исследован протонный транспорт в твёрдых электролитах, но диапазон исследованных кристаллических диэлектриков небольшой. Особенно актуальным представляется разработка способов получения и диагностики протонных проводников и полупроводников с заданными свойствами.
В работе экспериментально исследуется влияние на поверхностное натяжение воды различных внешних факторов, таких как намагничивание, воздействие электрическим разрядом, воздействие СВЧ-излучения, насыщение воздухом и озоном, обогащение металлическими ионами. Показано, что эти воздействия приводят к уменьшению коэффициента поверхностного натяжения питьевой воды, причем уменьшение коэффициента существенно зависит от рода и степени воздействия.