Статья: Релаксация фотопроводимости в пористом кремнии с цилиндрической геометрией пор (2012)

Читать онлайн

Представлена и численно исследована модель релаксации фотопроводимости пористого кремния, в которой учитывается рекомбинация фотоносителей на поверхности цилиндрических пор при выключении освещения. Методом конечных элементов рассчитана временная эволюция фотопроводимости пористого кремния и зависимость времени релаксации фотопроводимости от скорости поверхностной рекомбинации, а также от радиуса пор и среднего расстояния между ними.

The model of relaxation of photoconductivity of porous silicon, in which recombination of photocarriers is taken into account on the surface of cylindrical pores at the shutdown of illumination, is presented and numerically investigated. Time evolution of the porous silicon photoconductivity and dependence of the photoconductivity relaxation time on the surface recombination velocity as well as on the radius of pores and average distance between them are obtained by the finite elements method

Ключевые фразы: пористый кремний, сенсоры, ФОТОПРОВОДИМОСТЬ, кинетика фотопроводимости
Автор (ы): Монастырский Любомир Степанович (Monastyrskiy L. S.), Соколовский Богдан Степанович, Павлык Михаил Романович, Аксиментьева Елена Игоревна
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
Для цитирования:
МОНАСТЫРСКИЙ Л. С., СОКОЛОВСКИЙ Б. С., ПАВЛЫК М. Р., АКСИМЕНТЬЕВА Е. И. РЕЛАКСАЦИЯ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В ПОРИСТОМ КРЕМНИИ С ЦИЛИНДРИЧЕСКОЙ ГЕОМЕТРИЕЙ ПОР // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2012. №1
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.