Рассмотрено влияние различных видов облучения на свойства твердых растворов теллуридов кадмия и ртути. Показано, что данный материал практически не теряет своих качеств при облучении потоками электронов до 1017 см-2 и гамма‐квантами дозами до 106 Р. Механизмы образования электрически активных радиационных дефектов (РД) сходны в эпитаксиальных пленках и в объемном материале. Наблюдаемые отличия результатов облучения на эпитаксиальных пленках с переменным составом и объемном материале обусловлены различной динамикой накопления электрически активных РД
The review of influence various kinds of irradiation on properties of mercury cadmium tellurides solid solutions (MCТ) is made. It is shown that the material practically does not lose the qualities at the irradiation electron fluences up to 1017 cm–2 and gamma-irradiation doses up to 106 R. Formation mechanisms of electrically active radiation-induced defects (RD) and process of their evolution proceed identicall both in epitaxial films, and in bulk material of MCT. Observable differences of results of irradiation on MBE MCT epitaxial films with variable composition and bulk material are caused mainly by different dynamics of accumulation of the electrical active RDs and dependence of electrophysical properties of a material on MCT composition
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
Представленные результаты показывают, что КРТ практически не теряет своих качеств при облучении потоками электронов до 1017 см–2, нейтронами до 1014 см–2 и гамма-квантами дозами до 106 Р. Заметное изменение электрофизических и фотоэлектрических характеристик отмечается в материале с высокой исходной дефектностью (подвижность менее 104 см2·В-1·с-1, время жизни носителей заряда менее 100 нс). Образующиеся при электронном, нейтронном и протонном облучении дефекты термически мало стабильны и почти полностью отжигаются при температурах порядка 100 °С.
Механизмы образования электрически активных РД и процесс их эволюции протекают сходным образом как в эпитаксиальных пленках, так и в объемном материале КРТ. При этом можно предположить, что основными радиационными дефектами, определяющими свойства облученного КРТ, являются дефекты в металлической подрешетке HgTe независимо от типа воздействующих частиц.
Наблюдаемые отличия результатов облучения эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ с переменным составом и объемного материала КРТ, главным образом, обусловлены различной динамикой накопления электрически активных РД
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.
Выпуск
Другие статьи выпуска
Представлены результаты разработки бинокля с магнитодинамической стабилизацией поля зрения, а также данные о назначении, принципе действия, основных параметрах прибора, его конструктивном исполнении. Прибор имеет дальность действия до 7 км, увеличение 16х, угол поля зрения 4°, массу не более 1,8 кг. Источник питания отсутствует
Рассмотрен в плотной воздушной среде новый тип реактивного двигателя, состоящего из эмиттера электрически заряженных водяных капелек и многосеточной электродной системы, в которой поток этих капелек движется в постоянном продольном электрическом поле, инициируя появление воздушного потока. Оцениваются величина создаваемой потоком реактивной силы и коэффициент преобразования энергии электрического тока в энергию воздушного потока. Показано, что такой метод получения движущей силы с использованием топливных элементов позволяет снизить расход энергии в несколько раз по сравнению с современными летательными аппаратами. Приведена возможная схема летательного аппарата. Обсуждены особенности и ожидаемые достоинства и недостатки таких аппаратов
Рассмотрены основные области применения и преимущества твердотельных матричных фотоприемных устройств для ультрафиолетовой области спектра. Рассмотрена типичная структура фоточувствительных элементов и принципы построения интегральной схемы считывания. Предложен вариант ячейки считыванияразмером 30x30 мкм на основе емкостного трансимпедансного усилителя. Приведена структурная схема аналогового канала разрабатываемой интегральной схемы (ИС) считывания. Представлено сравнение с аналогом.
Проведено исследование эпитаксиальных пленок PbSe1-xTex<Ga>, полученных на диэлектрических подложках BаF2. Изопериодичность кристаллических решеток и близость коэффициентов термического расширения подложки и выращенных пленок PbSe1-xTex (х = 0,2) дали возможность получения пленок с совершенной структурой и высокими электрическими параметрами. Изготовлены элементы, фоточувствительные в области спектра 3—5 мкм при 77 К. Максимум фоточувствительности соответствует λmax = 5 мкм
Рассчитаны энергетические спектры и времена релаксации электронов в квантовой яме CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe, а также спектры оптического поглощения. Приведено сравнение характерных особенностей энергетических спектров и времен релаксации для случаев инвертированной (0 < x < 0,12) и прямой (0,2 < x < 0,35) зонной структуры квантовой ямы. Получено хорошее совпадение теоретических расчетов с экспериментальными данными
Рассмотрены особенности создания изопериодических эпитаксиальных гетеропереходов p-Pb1-хSnхЅе (х = 0,03)/n-PbSе1-хSх (х = 0,05) и изготовления фоточувствительных элементов, пригодных для практического применения. Изготовлены фоточувствительные элементы с высокими техническими параметрами: R0A = 1,2—1,5 Ом·см2; λmax = 8 мкм; D *λ = = (1—2)⋅1010 см⋅Гц1/2⋅Вт-1, сравнимыми с аналогичными параметрами, приведенными для диодов Шоттки на основе Pb1-хSnхSe
Представлена и численно исследована модель релаксации фотопроводимости пористого кремния, в которой учитывается рекомбинация фотоносителей на поверхности цилиндрических пор при выключении освещения. Методом конечных элементов рассчитана временная эволюция фотопроводимости пористого кремния и зависимость времени релаксации фотопроводимости от скорости поверхностной рекомбинации, а также от радиуса пор и среднего расстояния между ними.
Представлены варианты конструкций энергоанализаторов, обладающих острой фокусировкой по углу влета и высокой энергетической дисперсией. Двухмерные и трансаксиальные полевые конфигурации, реализующие такие свойства, получены на основе теории обратных задач аналитическими методами. Помимо конкретных реализаций сформулированы идеи для конструирования новых систем с очень высокими электронно‐оптическими характеристиками
Проведено исследование пространственной структуры и динамики плазмы в разряде сильноточной вакуумной искры методом импульсной тенеграфии. Обнаружена анизотропия истечения плазмы из области формирования микропинча. Зарегистрировано существование полостей в плазме перетяжки на стадии завершения процесса пинчевания. На периферии разряда зафиксировано формирование волокнистой структуры плазмы
Представлены результаты экспериментальных исследований искрового разряда в геометрии “острие—плоскость” в аргоне при ограничении разрядного тока балластным сопротивлением большой величины. Обнаружена микроструктура слаботочного искрового разряда, представляющая собой образование множества токовых нитей микронного размера внутри токового канала искры
На основе нелинейной геометрической оптики получены зависимости от высоты амплитуды колебаний температуры электронов, а также фазы и глубины модуляции мощной высокочастотной радиоволны при ее прохождении через нижнюю ионосферу
Рассмотрен вклад различных механизмов ионизации газа в газоразрядных структурах пеннинговского типа, используемых для формирования эмитирующей плазмы в плазменных источниках электронов. Показано, что при определенных условиях значительный вклада в процесс ионизации газа обеспечивается плазменными электронами
Найдены значения средней тепловой энергии электронов в потоках эмиссии с электрода в плазму Ē1 и из плазмы на электрод Ē2 для случаев большой и малой величины коэффициента кинетического отражения. Показано, что эти значения меняются в пределах 0,5 kBTc < < Ē 1 < 2kBTc и 0,5 kBTe < Ē 2 < 2kBTe, соответственно (Tc и Te — температуры катода и электронов плазмы). Полученные значения могут использоваться при постановке граничных условий для гидродинамических уравнений на электроде или диэлектрической стенке
В температурном интервале T = 77 – 2500 К представлены экспериментальные результаты исследования температурной зависимости спектральных коэффициентов отражения R(λ, T) молибдена в диапазоне энергий квантов hv = 1 – 10 эВ. Описан диагностический модуль для экспериментального анализа температурной зависимости оптических характеристик конденсированных сред с использованием зондирующего когерентного излучения лазерной системы с параметрическим генератором частоты (λ = 213 – 1188 нм) и лазерным нагревом исследуемого твердотельного образца (до температур T ~ 2500 К) в вакууме. Полученные данные являются разделом базы экспериментальных и расчетнотеоретических данных оптических, теплофизических и транспортных свойств конструкционных материалов фотонных энергодвигательных и технологических установок высокой плотности мощности.
Показано, что кавитационные процессы в жидкостях с одинаковыми физико-химическими свойствами при одинаковых внешних условиях в сонореакторах разных размеров с источниками акустических колебаний разной интенсивности обладают физическим подобием, а мощность кавитации может оцениваться с помощью критерия подобия. Приведено описание этого критерия и эксперимента, подтверждающего его адекватность. Критериальная оценка позволяет выполнять инженерный расчет и прогнозировать технические характеристики сонореакторов для использования их в прикладных целях по результатам практической оптимизации конкретных кавитационных процессов с помощью малогабаритных лабораторных аппаратов
Представлены одномерная и двухмерная математические модели мыльного пузыря, в основе которых находится предположение о растечении жидкости по выпуклой поверхности. Математическое моделирование проводится на основе трехмерных уравнений гидродинамики отдельно для верхней и для нижней частей сферы, “склеенных” по экватору. Проводится анализ численных результатов и сравнение их с экспериментальными данными, полученными французскими учеными.
Облучение полукристаллических полимеров высокоэнергетичными тяжелыми ионами обычно ослабляет упорядоченность образца вплоть до его полной аморфизации. Это происходит благодаря разрушению кристаллической фазы под воздействием тяжелых ионов. Однако источник высокоэнергетичных протоноподобных ионов демонстрирует отрицательную величину сечения аморфизации σa, что указывает на увеличение упорядоченности вышеуказанных полимерных образцов. Это увеличение степени кристаллизации хотя и наблюдалось ранее, но оно не могло быть объяснено из-за отсутствия адекватной теории (ионно-индуцированной кристаллизации или микродеформации). Обсуждаются основные результаты проведенного исследования сечения аморфизации σa полиэтилентерефталата, облучаемого протонами в режиме низкой плотности поглощенной энергии (≤ 1023 эВ/см3). Исследование материала проводилось с использованием дифракции рентгеновских лучей.
Существует проблема обоснования протонной релаксации и проводимости. На примере модельного кристалла льда, а также сульфатов, силикатов и иодатов доказана природа максимумов термостимулированных токов, tgδ(ν, Τ) и проводимости, объяснен механизм туннелирования и прыжковой диффузии протонов при низких температурах. Предложен механизм диэлектрической релаксации и протонного транспорта в кристаллах, на основе которого разработан ряд практических способов исследования и методов диагностики, защищенных патентами.
Для расчета спектра энергетических уровней многоэлектронных атомов записана система уравнений гидродинамического типа, из которой следует уравнение Шрёдингера как частное решение. В рамках этой системы уравнений для атома гелия и двухэлектронных ионов Li+, Be++, B+++ и т. д. рассчитаны энергетические уровни основных состояний атомов, которые с погрешностью меньше или порядка одного процента согласуются с экспериментальными данными. Принцип Паули является логическим следствием рассматриваемой теории, а не дополнительным постулатом
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400