Морфология поверхности, электрофизические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок узкозонных халькогенидов АIVBVI (2013)
Выпуск:
№5 (2013)
Представлены результаты исследования морфологии поверхности эпитаксиальных пленок Pb1-xSnxSe (x = 0,07), полученные различными методами термического напыления (метод конденсации молекулярных пучков и горячей стенки), в корреляции с электрофизическими свойствами и проведено сравнение с другими АIVBVI. Установлено, что образование черных скоплений на поверхности эпитаксиальных пленок характерно для халькогенидов АIVBVI и морфология поверхности сильно влияет на электрофизические свойства.