Рассмотрены особенности создания изопериодических эпитаксиальных гетеропереходов p-Pb1-хSnхЅе (х = 0,03)/n-PbSе1-хSх (х = 0,05) и изготовления фоточувствительных элементов, пригодных для практического применения. Изготовлены фоточувствительные элементы с высокими техническими параметрами: R0A = 1,2—1,5 Ом·см2; λmax = 8 мкм; D *λ = = (1—2)⋅1010 см⋅Гц1/2⋅Вт-1, сравнимыми с аналогичными параметрами, приведенными для диодов Шоттки на основе Pb1-хSnхSe
Представлены результаты исследования морфологии поверхности эпитаксиальных пленок Pb1-xSnxSe (x = 0,07), полученные различными методами термического напыления (метод конденсации молекулярных пучков и горячей стенки), в корреляции с электрофизическими свойствами и проведено сравнение с другими АIVBVI. Установлено, что образование черных скоплений на поверхности эпитаксиальных пленок характерно для халькогенидов АIVBVI и морфология поверхности сильно влияет на электрофизические свойства.