История, современное состояние и перспективы развития полупроводниковых матричных ИК-фотодиодных структур и технологий (1999)
Представлены сведения о начальной стадии развития многоэлементных полупроводниковых фотодиодных структур, связанных с изобретением в России координатно-чувствительного фотодиода с поперечным фотоэффектом (квадратного). Сообщается об изобретении в России схемы ВЗН на МОП-мультиплексорах. Представлены данные по развитию матричных ИК-фотодиодных структур по годам с 1975 по 1995 как за рубежом, так и в НПО “Орион”. Указаны перспективы развития работ по ИК-фотодиодным матрицам
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (1999)