Представлены сведения о начальной стадии развития многоэлементных полупроводниковых фотодиодных структур, связанных с изобретением в России координатно-чувствительного фотодиода с поперечным фотоэффектом (квадратного). Сообщается об изобретении в России схемы ВЗН на МОП-мультиплексорах. Представлены данные по развитию матричных ИК-фотодиодных структур по годам с 1975 по 1995 как за рубежом, так и в НПО “Орион”. Указаны перспективы развития работ по ИК-фотодиодным матрицам
Information about the initial stage of development of multi-element semiconductor photo-diode structures referring to the invention of a position-sensitive photo-diode in Russia with a transversal photo-effect (quadrant) is given. Communicates about the invention in Russia TDI circuit on MOS multiplexes. Data on development of matrix IR-photo-diode structures since 1975 to 1995 both abroad and in “RD&P Center “Orion” are presented. Prospects of works carried out on IR-photo-diode arrays are given
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.