Статья: История, современное состояние и перспективы развития полупроводниковых матричных ИК-фотодиодных структур и технологий (1999)

Читать онлайн

Представлены сведения о начальной стадии развития многоэлементных полупроводниковых фотодиодных структур, связанных с изобретением в России координатно-чувствительного фотодиода с поперечным фотоэффектом (квадратного). Сообщается об изобретении в России схемы ВЗН на МОП-мультиплексорах. Представлены данные по развитию матричных ИК-фотодиодных структур по годам с 1975 по 1995 как за рубежом, так и в НПО “Орион”. Указаны перспективы развития работ по ИК-фотодиодным матрицам

Information about the initial stage of development of multi-element semiconductor photo-diode structures referring to the invention of a position-sensitive photo-diode in Russia with a transversal photo-effect (quadrant) is given. Communicates about the invention in Russia TDI circuit on MOS multiplexes. Data on development of matrix IR-photo-diode structures since 1975 to 1995 both abroad and in “RD&P Center “Orion” are presented. Prospects of works carried out on IR-photo-diode arrays are given

Ключевые фразы: ГЕОМЕТРИЧЕСКАЯ ОПТИКА, электронная оптика, полупроводниковые матричные ик-фотодиодные структуры
Автор (ы): Акимов В. М. (Akimov V. M.), Климанов Е. А., Лисейкин В. П., Тимофеев А. А., Щукин С. В., Юнгерман В. М.
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
537.533. Электронные (катодные) пучки и геометрическая оптика. Электронная оптика
Для цитирования:
АКИМОВ В. М., КЛИМАНОВ Е. А., ЛИСЕЙКИН В. П., ТИМОФЕЕВ А. А., ЩУКИН С. В., ЮНГЕРМАН В. М. ИСТОРИЯ, СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТРИЧНЫХ ИК-ФОТОДИОДНЫХ СТРУКТУР И ТЕХНОЛОГИЙ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 1999. №1
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.