Представлены сведения о начальной стадии развития многоэлементных полупроводниковых фотодиодных структур, связанных с изобретением в России координатно-чувствительного фотодиода с поперечным фотоэффектом (квадратного). Сообщается об изобретении в России схемы ВЗН на МОП-мультиплексорах. Представлены данные по развитию матричных ИК-фотодиодных структур по годам с 1975 по 1995 как за рубежом, так и в НПО “Орион”. Указаны перспективы развития работ по ИК-фотодиодным матрицам
Изложены результаты расчета электронно-оптической системы, формирующей электронный поток мощностью 1 Мвт. Радиус потока составляет 0,5 мм, радиус катода 18 мм. Приведены результаты расчета пушки, магнитной системы и электронного потока от катода до коллектора. В коллекторе осуществлена рекуперация энергии электронного потока
Обсуждается возможность построения теории пространственных приповерхностных течений, основанной на геометризованных уравнениях пучка. Построена теория пространственных параксиальных релятивистских потоков при произвольной ориентации магнитного поля на катоде, имеющая предметом исследования ситуации, которые не могут быть описаны традиционной параксиальной теорией
Обсуждаются результаты тестирования геометризованных моделей на примере точного решения, описывающего плоский нерелятивистский поток со спирального катода по спиральным траекториям. Анализируются геометризованнй вариант параксиальной теории первого и второго приближений; комбинированный вариант первого приближения для траекторий и более точного описания прикатодной области; метод узких полос при синтезе непараксиальных потоков.
Рассмотрены вопросы количественной оценки ошибок измерения электронной яркости различными методами. Показано, что основная ошибка, возникающая при использовании линзового метода, является следствием неправомерного предположения, что при размещении апертурной диафрагмы в главной плоскости линзы апертурный угол в плоскости изображения может быть вычислен как отношение радиуса диафрагмы к расстоянию между диафрагмой и плоскостью изображения. Проведена количественная оценка ошибки такого приближения и показано, что ошибка расчета апертуры зависит от конструкции измерительной системы, а ошибка определения яркости может достигать +100 %.
Рассмотрены физические процессы, имеющие место при электронно-лучевой обработке поверхности диэлектрических материалов. В частности, экспериментально исследованы механизмы стекания внесенного лучом электрического заряда. Обнаружено, что обработка поверхности ряда стекол сопровождается аномально высокой электронной эмиссией, которая приводит к быстрому исчезновению внесенного заряда. Данный эффект не может быть обусловлен вторичной эмиссией электронов
Рассмотрены требования, предъявляемые к вакуумным ионно-плазменным установкам и их оснащению, к подложкам из полимерных материалов при нанесении оптических покрытий. Дан анализ факторов, влияющих на адгезию, стехиометрию, кристаллическую структуру и показатель преломления оптического покрытия. Рассмотрены оборудование и технология изготовления оптических элементов и их просветления методом реактивного распыления на подложках из полимерных материалов. Приведены примеры изготовления оптических элементов. На разработанном оборудование и созданной технологии изготовлены экспериментальные образцы пленок объемного видения для экранов приемников черно-белого и цветного изображений, дисплеев и стекол с рисунками
Матричное уравнение типа Рикатти позволяет расcчитывать изменение параметров трехмерного волнового пакета гауссового типа при его движении во внешнем, достаточно слабо меняющемся в пространстве, потенциале. В работе показано, что одномерный аналог этого уравнения описывает динамику параметров одномерного волнового пакета не только определяемого гауссовой волновой функцией, соответствующей координатному представлению когерентного (а в частности — основного) состояния квантового гармонического осциллятора, но и волновой функцией, получаемой умножением гауссовой функции на полином Эрмита n-й степени, что соответствует волновой функции осциллятора в стационарном состоянии с главным квантовым числом n. Отметим, что если осциллятор находится в когерентном состоянии, но при этом ширина гауссового волнового пакета осциллирует, то вместо термина “когерентное состояние” часто употребляют термин “сжатое состояние“. Таким образом, сделано обобщение когерентного (сжатого) состояния осциллятора. В случае квадратичного потенциала это уравнение проинтегрировано аналитически. Получены зависимости от времени параметра, определяющего размеры пакета, для отталкивающего и притягивающего квадратичных потенциалов, а также для случая однородного поля. Выведено несколько полезных соотношений.
Излагается и развивается альтернативный подход к теории фотоотсчетов. Исследуется механизм обострения электронной плотности при разлете многоэлектронных пакетов. Возникновение неоднородностей должно инициировать распад многоэлектронной системы на слаболокализованные одноэлектронные образования. Показано, что межэлектронное кулоновское взаимодействие приводит к обострению и локализации таких одноэлектронных образований. Показано, что при движении в однородном поле в вакуумных фотодетекторах размеры таких одноэлектронных пакетов должны быть порядка и больше 1 мк. Показано, что подобные локализованные заряды наводят резкие импульсы тока во внешней цепи фотодетектора. Обсуждаются вопросы связанные с определением параметров такого пакета по особенностям рассеяния на нем мощного лазерного импульса. Исследуется движение одноэлектронного волнового пакета в неоднородном поле отрицательно заряженного сферического электрода. Показано, что при рассеянии на таком электроде возможно расширение электронного пакета в поперечном направлении до макроскопических размеров. Предлагается эксперимент по наблюдению такого макроскопического пакета на экране покрытом люминофором.
В статье разработан алгоритм численного решения самосогласованной задачи расчета электронных пушек в прикатодной области методом итераций, свободный от каких-либо априорных предположений о характере формирования электронного пучка в прикатодной области. Разработанный алгоритм и построенная на его основе компьютерная программа обеспечивают устойчивое решение задачи для различных конфигураций катода (выпуклой, вогнутой и плоской) в различных режимах. В качестве теста получено хорошее соответствие между численными результатами и известным аналитическим решением для плоского одномерного диода. Исследованы особенности формирования электронного пучка вблизи краев эмиттера.
Третий Всероссийский семинар “Проблемы теоретической и прикладной электронной оптики” проходил 31 марта — 2 апреля 1998 года в пос. Отрадное Московской области. В работе семинара приняли участие 45 специалистов: научные сотрудники трех институтов Российской академии наук, шести научно-исследовательских институтов и государственных научных центров, представители Сумского производственного объединения “SELMI” и АО “Красногорский завод”, преподаватели и аспиранты восьми высших учебных заведений, а также известные специалисты из Сибирского отделения РАН, Нижегородского университета, Рязанского радиотехнического института.
На семинаре были представлены работы по трем научным направлениям:
теоретическая электронная оптика и компьютерное моделирование электронно-оптических систем;
электронно-оптические приборы, оборудование, электронно- и ионно-лучевые технологии;
физическая электроника
Индукционный разряд возбужден на частоте 13,56 МГц в смеси Hg (0,01 Торр) + Ar (0,1— 0,7 Торр) в кварцевой трубке диаметром 38 мм и длиной 400 мм с помощью индуктивной катушки, охватывающей трубку по ее продольному периметру. Обнаружено, что максимум КПД УФ-излучения максимален, а мощность потерь в проводе катушки — минимальна при одной и той же мощности лампы, которая с уменьшением давления аргона сдвигается в сторону больших значений. Результаты расчета КПД УФ-излучения лампы находятся в хорошем согласии с экспериментом.