Рассмотрены физические процессы, имеющие место при электронно-лучевой обработке поверхности диэлектрических материалов. В частности, экспериментально исследованы механизмы стекания внесенного лучом электрического заряда. Обнаружено, что обработка поверхности ряда стекол сопровождается аномально высокой электронной эмиссией, которая приводит к быстрому исчезновению внесенного заряда. Данный эффект не может быть обусловлен вторичной эмиссией электронов
The physical processes taking place while electron beam processing surfaces of insulators are discussed. Particularly, the mechanisms of the introduced electric charge vanishing are examined experimentally. It was found that surface e-beam processing of some glasses is accompanied by extremely high electron emission which leads to the introduced charge rapid disappearing. This effect cannot be explained in terms of secondary electron emission
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
Так качественно можно объяснить наши результаты. Необходимо выяснить, что является причиной появления S-образной характеристики и для каких веществ она реализуется. Возможной причиной ее появления является т. н. эффект убегания электронов [6, 7]. В полярных полупроводниках и диэлектриках в некотором диапазоне энергии электрона в зоне проводимости может преобладать рассеяние на полярных оптических фононах. При энергии электрона меньшей энергии оптического фонона ħɷ 0 (~0,1 эВ) и при температуре решетки Т0 << ħɷ 0 рассеяние оптических колебаниях невелико. Интенсивность испускания оптических фононов максимальна для электронов, имеющих энергию порядка (3–4) ħɷ 0. Время свободного пробега при таких энергиях составляет порядка 10-14 с. При энергиях много больших ħɷ0 оно растет приблизительно пропорционально квадратному корню из энергии электрона, отсчитываемой от дна зоны проводимости, то есть скорость передачи энергии электроном кристаллической решетке падает с ростом энергии электрона. Такая зависимость интенсивности рассеяния от энергии электрона приводит к определенной специфике разогрева электронов электрическим полем. Качественное представление может быть получено в рамках модели электронной температуры. Температура Т электронной подсистемы в поле Е дается известной формулой, где Т0 — температура решетки; m — эффективная масса электрона; Ʈₑ и Ʈ p усредненные по распределению времена релаксации соответственно энергии и импульса электрона, зависящие от электронной температуры. Если, как в нашем случае, произведение те(Т) и Ʈ p (Т) в некотором диапазоне возрастают быстрее, чем Т в первой степени, то уравнение (2) при некоторых значениях электрического поля разрешается неоднозначно относительно Т. При возрастании Е от нуля до критического значения ~105—106 В/см имеет место непрерывный рост электронной температуры до значения порядка нескольких ħɷ0, в дальнейшем имеет место резкий скачок электронной температуры до таких значений, когда существенными являются иные механизмы рассеяния – на деформационном потенциале, междолинное рассеяние, ударная ионизация. Поскольку ток эмиссии с поверхности резко зависит именно от температуры электронной подсистемы, то зависимость эммитируемого тока от величины электрического поля имеет S-образный вид. Для веществ, в которых верхнее значение температуры превосходит работу выхода (несколько электрон-вольт), это приводит к высокой электронной эмиссии с поверхности, что и имеет место в наших экспериментах.
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.
Выпуск
Другие статьи выпуска
На основе экспериментальных исследований показано, что изменение давления воздуха в диапазоне 103—105 Па оказывает слабое влияние на взаимодействие лазерного излучения с длинами волн от 762 до 766 нм с воздухом и образование синглетного кислорода.
Дан краткий обзор докладов, представленных на школе “Курчатовец-98”, по наиболее актуальным направлениям сильноточной сверхпроводимости, ее применениями перспективам развития
Физические модели, описывающие взаимодействие слабого переменного магнитного поля с конденсированными системами и биологическими объектами (клетками или их отдельными частями), проанализированы на основе экспериментальных данных. При воздействии магнитного поля на магнитоактивные среды искусственно создается гиротропная среда. В гиротропной среде в зависимости от направления внешнего магнитного поля возможно изменение ориентации спинов электронов или корреляции орбит. Это создает условия для формирования новых химических связей и изменения химических характеристик молекул
Предложена модификация закона Кулона, позволяющая описывать взаимодействие элементарных зарядов. Обоснована новая трактовка связанного состояния электрона и протона в атоме водорода
Рассмотрены требования, предъявляемые к вакуумным ионно-плазменным установкам и их оснащению, к подложкам из полимерных материалов при нанесении оптических покрытий. Дан анализ факторов, влияющих на адгезию, стехиометрию, кристаллическую структуру и показатель преломления оптического покрытия. Рассмотрены оборудование и технология изготовления оптических элементов и их просветления методом реактивного распыления на подложках из полимерных материалов. Приведены примеры изготовления оптических элементов. На разработанном оборудование и созданной технологии изготовлены экспериментальные образцы пленок объемного видения для экранов приемников черно-белого и цветного изображений, дисплеев и стекол с рисунками
Подробный экспериментальный и компьютерный анализ основных факторов, влияющих на временное разрешение фемтосекундных электронно-оптических камер с магнитной фокусировкой был сделан в известной работе Kinoshita. Изучалось влияние собственного заряда пучка, ширины фотокатода, скорости развертки изображения, ускоряющего напряжения и некоторых других факторов. В данной работе представлены результаты аналогичной попытки автора повторить компьютерный анализ влияния перечисленных факторов (кроме объемного заряда) на временное разрешение фемтосекуной камеры с магнитной фокусировкой. Сравнение полученных результатов с данными работы Kinoshita указывает на их удовлетворительное соответствие. Результаты могут быть полезными при создании электронно-оптических камер для регистрации быстропротекающих процессов
Матричное уравнение типа Рикатти позволяет расcчитывать изменение параметров трехмерного волнового пакета гауссового типа при его движении во внешнем, достаточно слабо меняющемся в пространстве, потенциале. В работе показано, что одномерный аналог этого уравнения описывает динамику параметров одномерного волнового пакета не только определяемого гауссовой волновой функцией, соответствующей координатному представлению когерентного (а в частности — основного) состояния квантового гармонического осциллятора, но и волновой функцией, получаемой умножением гауссовой функции на полином Эрмита n-й степени, что соответствует волновой функции осциллятора в стационарном состоянии с главным квантовым числом n. Отметим, что если осциллятор находится в когерентном состоянии, но при этом ширина гауссового волнового пакета осциллирует, то вместо термина “когерентное состояние” часто употребляют термин “сжатое состояние“. Таким образом, сделано обобщение когерентного (сжатого) состояния осциллятора. В случае квадратичного потенциала это уравнение проинтегрировано аналитически. Получены зависимости от времени параметра, определяющего размеры пакета, для отталкивающего и притягивающего квадратичных потенциалов, а также для случая однородного поля. Выведено несколько полезных соотношений.
Излагается и развивается альтернативный подход к теории фотоотсчетов. Исследуется механизм обострения электронной плотности при разлете многоэлектронных пакетов. Возникновение неоднородностей должно инициировать распад многоэлектронной системы на слаболокализованные одноэлектронные образования. Показано, что межэлектронное кулоновское взаимодействие приводит к обострению и локализации таких одноэлектронных образований. Показано, что при движении в однородном поле в вакуумных фотодетекторах размеры таких одноэлектронных пакетов должны быть порядка и больше 1 мк. Показано, что подобные локализованные заряды наводят резкие импульсы тока во внешней цепи фотодетектора. Обсуждаются вопросы связанные с определением параметров такого пакета по особенностям рассеяния на нем мощного лазерного импульса. Исследуется движение одноэлектронного волнового пакета в неоднородном поле отрицательно заряженного сферического электрода. Показано, что при рассеянии на таком электроде возможно расширение электронного пакета в поперечном направлении до макроскопических размеров. Предлагается эксперимент по наблюдению такого макроскопического пакета на экране покрытом люминофором.
На основе численной модели исследовано поведение электронных пакетов в субпикосекундных времяанализирующих ЭОП для различных начальных распределений фотоэлектронов по энергиям. Показано, что плотный неоднородный субпикосекундный электронный пакет, обладающий достаточно узким начальным энергетическим распределением, во время движения от эмиттера к отклоняющим пластинам или экрану стремится разделиться на два отдельных сгустка благодаря кулоновскому отталкиванию. Исследовано пространственное и временное уширение электронных пакетов, эмиттированных с фотокатода под воздействием сверхкоротких лазерных импульсов длительностью 60 фс, в зависимости от начальной плотности тока и энергетического разброса фотоэлектронов
В статье разработан алгоритм численного решения самосогласованной задачи расчета электронных пушек в прикатодной области методом итераций, свободный от каких-либо априорных предположений о характере формирования электронного пучка в прикатодной области. Разработанный алгоритм и построенная на его основе компьютерная программа обеспечивают устойчивое решение задачи для различных конфигураций катода (выпуклой, вогнутой и плоской) в различных режимах. В качестве теста получено хорошее соответствие между численными результатами и известным аналитическим решением для плоского одномерного диода. Исследованы особенности формирования электронного пучка вблизи краев эмиттера.
В последнее десятилетие получил развитие метод сверхбыстрой дифракции электронов, являющийся новым и перспективным методом исследования быстропротекающих фемтосекундных явлений. С точки зрения математического моделирования основной проблемой здесь являются расчет и обработка дифракционной картины, полученной от пикофемтосекундного электронного импульса, для чего необходимо решить прямую задачу дифракции реального фемтосекундного пучка на твердотельной и газообразной мишени
Математическое моделирование современных электронно-лучевых технологических установок, предназначенных для прецизионной обработки различных материалов электронным пучком высокой энергии, предполагает “сквозной просчет” электронного пучка с учетом всех элементов колонны, включая термоэмиссионную электронную пушку, электромагнитную фокусирующую и отклоняющую системы. В данной статье представлен новый пакет прикладных программ “CHARGE” и обсуждаются некоторые численные результаты математического моделирования электронной оптики ЭЛТУ
Третий Всероссийский семинар “Проблемы теоретической и прикладной электронной оптики” проходил 31 марта — 2 апреля 1998 года в пос. Отрадное Московской области. В работе семинара приняли участие 45 специалистов: научные сотрудники трех институтов Российской академии наук, шести научно-исследовательских институтов и государственных научных центров, представители Сумского производственного объединения “SELMI” и АО “Красногорский завод”, преподаватели и аспиранты восьми высших учебных заведений, а также известные специалисты из Сибирского отделения РАН, Нижегородского университета, Рязанского радиотехнического института.
На семинаре были представлены работы по трем научным направлениям:
теоретическая электронная оптика и компьютерное моделирование электронно-оптических систем;
электронно-оптические приборы, оборудование, электронно- и ионно-лучевые технологии;
физическая электроника
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400