Архив статей

РАСЧЕТ АБЕРРАЦИЙ, ОБУСЛОВЛЕННЫХ ДОПУСКАМИ НА ИЗГОТОВЛЕНИЕ И СБОРКУ ПОЛЮСНЫХ НАКОНЕЧНИКОВ МАГНИТНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛИНЗ (1998)

Приводится методика и программное обеспечение для расчета аберраций, обусловленных неточностью изготовления и юстировки полюсных наконечников магнитных электронных линз. Оценивается влияние эллиптичности каналов и относительного сдвига осей каналов на коэффициенты аберраций и радиусы кружков рассеяния

Ионно-плазменная технология изготовления оптических элементов на подложках из полимерных материалов (1998)

Рассмотрены требования, предъявляемые к вакуумным ионно-плазменным установкам и их оснащению, к подложкам из полимерных материалов при нанесении оптических покрытий. Дан анализ факторов, влияющих на адгезию, стехиометрию, кристаллическую структуру и показатель преломления оптического покрытия. Рассмотрены оборудование и технология изготовления оптических элементов и их просветления методом реактивного распыления на подложках из полимерных материалов. Приведены примеры изготовления оптических элементов. На разработанном оборудование и созданной технологии изготовлены экспериментальные образцы пленок объемного видения для экранов приемников черно-белого и цветного изображений, дисплеев и стекол с рисунками

Свойства корреляторов тепловых и фотоиндуцированных случайных полей концентраций и токов подвижных носителей заряда в ИК-фотодиодах (2015)

Проведен сравнительный анализ свойств корреляторов стационарных тепловых и фотоиндуцированных случайных полей (СП) концентраций и токов подвижных носителей заряда в ИКфотодиодах и гомогенных полупроводниках. Показано, что корреляторы тепловых и фотоиндуцированных СП концентраций подвижных носителей заряда определяются одинаковыми по смыслу выражениями при любой структуре p–n-перехода и произвольной полярности приложенного напряжения, в то время как корреляторы СП фотоиндуцированных и темновых токов определяются одинаковыми по смыслу выражениями только в случае обратносмещенного p–n-перехода с длинной базой.