Читать онлайн

Проанализирована возможность увеличения квантового выхода на порядок и больше в структуре металл-полупроводник-металл за счет лавинного умножения фотогенерированных носителей в слое полупроводника при одновременном подавлении туннельного тока путем оптимального выбора толщины полупроводника

Possibility of quantum yield increasing by order and more in M-S-M structure by avalanche multiplication of photogenerated carriers in semiconductor layer is analysed. It is shown that simultaneously one can get depression of tunnel current by means of semiconductor layer width optimal choice.

Ключевые фразы: полупроводники, металл-полупроводник-металл, ТЕХНОЛОГИЯ МАШИНОСТРОЕНИЯ
Автор (ы): Серебренников П. С. (Serebrennikov P. S.)
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621. Общее машиностроение. Ядерная техника. Электротехника. Технология машиностроения в целом
Для цитирования:
СЕРЕБРЕННИКОВ П. С. УСИЛЕНИЕ В СТРУКТУРЕ М-S-М // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 1999. №1
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.