Архив статей

УСИЛЕНИЕ В СТРУКТУРЕ М-S-М (1999)
Выпуск: №1 (1999)

Проанализирована возможность увеличения квантового выхода на порядок и больше в структуре металл-полупроводник-металл за счет лавинного умножения фотогенерированных носителей в слое полупроводника при одновременном подавлении туннельного тока путем оптимального выбора толщины полупроводника