Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя Х-диапазона на гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN на подложке SiC (2018)
Разработана конструкция монолитной интегральной схемы (МИС) малошумящего усилителя диапазонов частот 8–12 ГГц. МИС усилителя изготовлена на гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN на подложке SiC. Приведены результаты измерений параметров МИС.
Издание:
УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ
Выпуск:
Том 6, №6 (2018)