Научный архив: статьи

Представлены результаты воздействия импульсного мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы на морфологию поверхности твердых растворов эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe. Увеличение дозы облучения приводит к росту перепада высот микровыступов и шероховатости.

Проведено исследование влияние атомов вольфрама на электрофизические и фотоэлектрические свойства кремния n-типа проводимости, легированного золотом. В результате легирования кремния золотом в присутствии вольфрама были обнаружены следующие энергетические уровни: уровень прилипания Е = Еc – (0,230,02) [эВ], связанный с вольфрамом, и уровень прилипания Е = Еc – (0,130,01) [эВ], связанный с комплексом вольфрам+вакансия. В серии образцов кремния, легированном золотом, в отсутствие вольфрама были найден уровень прилипания Е = Еc – (0,160,02) [эВ], связанный с комплексом кислород+вакансия. В образцах кремния после диффузии золота без вольфрама величина удельного сопротивления выросла на 2 порядка благодаря созданию центров компенсации золота, а в присутствии вольфрама удельное сопротивление увеличилось на 3 порядка, что свидетельствует о создании дополнительных энергетических центров, связанных как с золотом, так и с вольфрамом. Соответственно времена нестационарной релаксации фотопроводимости значительно уменьшились до величин 0,1–10 мкс из-за создания дополнительных центров рекомбинации и уровней прилипания.