Проведено исследование влияние атомов вольфрама на электрофизические и фотоэлектрические свойства кремния n-типа проводимости, легированного золотом. В результате легирования кремния золотом в присутствии вольфрама были обнаружены следующие энергетические уровни: уровень прилипания Е = Еc – (0,230,02) [эВ], связанный с вольфрамом, и уровень прилипания Е = Еc – (0,130,01) [эВ], связанный с комплексом вольфрам+вакансия. В серии образцов кремния, легированном золотом, в отсутствие вольфрама были найден уровень прилипания Е = Еc – (0,160,02) [эВ], связанный с комплексом кислород+вакансия. В образцах кремния после диффузии золота без вольфрама величина удельного сопротивления выросла на 2 порядка благодаря созданию центров компенсации золота, а в присутствии вольфрама удельное сопротивление увеличилось на 3 порядка, что свидетельствует о создании дополнительных энергетических центров, связанных как с золотом, так и с вольфрамом. Соответственно времена нестационарной релаксации фотопроводимости значительно уменьшились до величин 0,1–10 мкс из-за создания дополнительных центров рекомбинации и уровней прилипания.
The influence of tungsten atoms on the electrophysical and photoelectric properties of silicon n of conductivity type doped with gold is investigated. As a result of doping of silicon with gold in the presence of tungsten, the following energy levels were found: the trap level E = Ec – (0.230.02) [eV] associated with tungsten and the trap level E = Ec – (0.130.01) [eV] associated with the tungsten complex+ vacancy. In a series of silicon samples doped with gold, in the absence of tungsten, the trap level E = Ec – (0.160.02) [eV], associated with the oxygen+vacancy complex, was found. In silicon samples after diffusion of gold without tungsten, the resistivity increased by 2 orders of magnitude due to the creation of gold compensation centers, and in the presence of tungsten the resistivity increased by 3 orders of magnitude, which indicates the creation of additional energy centers connected both with gold and with tungsten. Accordingly, the times of nonstationary relaxation of the photoconductivity have significantly decreased to values of 0.1–10 μs due to the creation of additional recombination centers and trap levels.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 53. Физика
- eLIBRARY ID
- 32576473
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.