Научный архив: статьи

В температурном интервале T = 77 – 2500 К представлены экспериментальные результаты исследования температурной зависимости спектральных коэффициентов отражения R(λ, T) молибдена в диапазоне энергий квантов hv = 1 – 10 эВ. Описан диагностический модуль для экспериментального анализа температурной зависимости оптических характеристик конденсированных сред с использованием зондирующего когерентного излучения лазерной системы с параметрическим генератором частоты (λ = 213 – 1188 нм) и лазерным нагревом исследуемого твердотельного образца (до температур T ~ 2500 К) в вакууме. Полученные данные являются разделом базы экспериментальных и расчетнотеоретических данных оптических, теплофизических и транспортных свойств конструкционных материалов фотонных энергодвигательных и технологических установок высокой плотности мощности.

Показано, что кавитационные процессы в жидкостях с одинаковыми физико-химическими свойствами при одинаковых внешних условиях в сонореакторах разных размеров с источниками акустических колебаний разной интенсивности обладают физическим подобием, а мощность кавитации может оцениваться с помощью критерия подобия. Приведено описание этого критерия и эксперимента, подтверждающего его адекватность. Критериальная оценка позволяет выполнять инженерный расчет и прогнозировать технические характеристики сонореакторов для использования их в прикладных целях по результатам практической оптимизации конкретных кавитационных процессов с помощью малогабаритных лабораторных аппаратов

Представлены одномерная и двухмерная математические модели мыльного пузыря, в основе которых находится предположение о растечении жидкости по выпуклой поверхности. Математическое моделирование проводится на основе трехмерных уравнений гидродинамики отдельно для верхней и для нижней частей сферы, “склеенных” по экватору. Проводится анализ численных результатов и сравнение их с экспериментальными данными, полученными французскими учеными.

Облучение полукристаллических полимеров высокоэнергетичными тяжелыми ионами обычно ослабляет упорядоченность образца вплоть до его полной аморфизации. Это происходит благодаря разрушению кристаллической фазы под воздействием тяжелых ионов. Однако источник высокоэнергетичных протоноподобных ионов демонстрирует отрицательную величину сечения аморфизации σa, что указывает на увеличение упорядоченности вышеуказанных полимерных образцов. Это увеличение степени кристаллизации хотя и наблюдалось ранее, но оно не могло быть объяснено из-за отсутствия адекватной теории (ионно-индуцированной кристаллизации или микродеформации). Обсуждаются основные результаты проведенного исследования сечения аморфизации σa полиэтилентерефталата, облучаемого протонами в режиме низкой плотности поглощенной энергии (≤ 1023 эВ/см3). Исследование материала проводилось с использованием дифракции рентгеновских лучей.

Существует проблема обоснования протонной релаксации и проводимости. На примере модельного кристалла льда, а также сульфатов, силикатов и иодатов доказана природа максимумов термостимулированных токов, tgδ(ν, Τ) и проводимости, объяснен механизм туннелирования и прыжковой диффузии протонов при низких температурах. Предложен механизм диэлектрической релаксации и протонного транспорта в кристаллах, на основе которого разработан ряд практических способов исследования и методов диагностики, защищенных патентами.

Для расчета спектра энергетических уровней многоэлектронных атомов записана система уравнений гидродинамического типа, из которой следует уравнение Шрёдингера как частное решение. В рамках этой системы уравнений для атома гелия и двухэлектронных ионов Li+, Be++, B+++ и т. д. рассчитаны энергетические уровни основных состояний атомов, которые с погрешностью меньше или порядка одного процента согласуются с экспериментальными данными. Принцип Паули является логическим следствием рассматриваемой теории, а не дополнительным постулатом

Целью данной работы является исследование диффузии цинка в фосфид индия и гетероструктуры n-InP/n-In0.53Ga0.47As/n+-InP. Исследованы профили распределения концентрации носителей заряда в диффузионных структурах. Определен коэффициент диффузии цинка в монокристаллическом и эпитаксиальном InP, в n-InP/n-In0.53Ga0.47As/n+-InP. Определена зависимость времени диффузии от толщины эпитаксиального слоя и подобрана формула, удобная для практических расчетов. Показано, что данный технологический процесс может быть использован в технологии изготовления pin-фотодиодов на основе структур n-InP/n-In0.53Ga0.47As/n+-InP. Приведены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики фотодиодов.

Представлены результаты работы по созданию гетероструктур AlGaN/AlN на подложках сапфира методом МОС-гидридной эпитаксии, пригодных для изготовления матриц ультрафиолетовых p─i─n-фотодиодов солнечно-слепых фотоприемных устройств, и результаты исследований ультрафиолетовых матричных фотоприемников формата 320х256 на их основе. Методом высокоразрешающей микроскопии исследованы дефекты поверхности гетероструктур AlGaN и их влияние на дефектность элементов ультрафиолетовых матричных фотоприемников

В аппаратуре на основе МФПУ среднего инфракрасного диапазона спектра динамическая взаимосвязь может существенно ухудшить тактико-технические характеристики. В данной работе разработана методика оценки динамической взаимосвязи и выявлены основные закономерности явления, проведено исследование динамической взаимосвязи при различных технологиях изготовления матричных фоточувствительных элементов (МФЧЭ) и различных пассивирующих покрытиях. Результаты исследований показали, что для уменьшения динамической взаимосвязи, повышения воспроизводимости и величины чувствительности МФПУ, необходимо применять пассивацию напылением пленки ZnS.

Исследованы матричные ультрафиолетовые фотоприемные модули (УФМ) формата 320х256 элементов на основе гетероэпитаксиальных структур AlxGa1-xN (ГЭС AlGaN), чувствительные в видимо-слепом и солнечно-слепом диапазонах УФ диапазона. ГЭС AlGaN выращивались методами мосгидридной эпитаксии (МОС) и молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на сапфировых подложках. Качество p-i-n-фотодиодов оценивалось по измерению вольт-амперных характеристик

Исследованы матрицы чувствительных элементов на основе p–i–n-фотодиодов из AlGaN формата 320×256 элементов с шагом 30 мкм и размером фоточувствительной площадки 20×20 мкм2 для подтверждения возможности создания матричных ультрафиолетовых фотоприемных устройств. Качество p–i–n-фотодиодов оценивалось по измерению вольтамперных характеристик. Темновые токи, измеренные между разделенными элементами в мезаструктуре, составили менее 10–13 A, а сопротивление более 1012 Ом·см

Проведен анализ существующих моделей показателя преломления КРТ. Разработана усовершенствованная модель показателя преломления, основанная на уравнениях Хёви-Ван-дамма и Крамерса-Кронига. Усовершенствована методика определения характеристик многослойных ГЭС КРТ по спектрам ИК-пропускания. Использование новой модели показателя преломления позволило уменьшить значения среднеквадратичных отклонений расчётных зависимостей от экспериментальных на 1–2% для сложных структур, выращенных методами МЛЭ и осаждением из МОС.