УСИЛЕНИЕ В СТРУКТУРЕ М-S-М (1999)
Проанализирована возможность увеличения квантового выхода на порядок и больше в структуре металл-полупроводник-металл за счет лавинного умножения фотогенерированных носителей в слое полупроводника при одновременном подавлении туннельного тока путем оптимального выбора толщины полупроводника
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (1999)