ДЕГРАДАЦИЯ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ ПРИ ВЫСОКИХ УРОВНЯХ ИНЖЕКЦИИ (1995)
Получены экспериментальные распределения эффективной концентрации заряженных центров вблизи металлургической границы гетероперерехода n-GaAIAs/p-GaAs после длительной наработки при пропускании прямого тока Обнаружены существенные изменения в распределении концентрации и показана взаимосвязь с изменениями характеристик и параметров излучателей
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№3-4 (1995)