Исследование температурной зависимости диффузионной длины неосновных носителей заряда в эпитаксиальных слоях КРТ (2014)
Исследована температурная зависимость диффузионной длины неосновных носителей заряда в активном фоточувствительном слое матричного фотоприёмного устройства на основе гетероэпитаксиальной структуры КРТ, выращенной методом молекулярнолучевой эпитаксии.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№6 (2014)