Исследование воздействия плазмы SF6 на поверхность НЕМТ-структур на основе GaN (2017)
В работе изучалось воздействие обработки плазмой SF6 на поверхности HEMT-структур AlGaN/GaN с «cap-слоем» GaN. Плазмохимическая обработка проводилась после формирования к НЕМТ-структурам тестовых контактов металл-полупроводник. Продемонстрировано значительное увеличение пробивных напряжений между двумя такими контактами в результате применения обработки. При этом показано замещение связи Ga–O на более прочную связь Ga–F на поверхности GaN. Также показан эффект перераспределения интенсивности составляющих XPS-спектра, аналогичный связываемому с изменением профиля потолка валентной зоны при смене полярности слоя GaN с Ga-ориентированной на поверхность смешанной полярности или, возможно, на N-ориентированную поверхность.
Издание:
УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ
Выпуск:
Том 5, №4 (2017)
Влияние энергии ионов при воздействии азотной плазмы на постоянные токи насыщения HEMT-транзисторов на основе нитридов III группы (2018)
В работе изучалось воздействие плазменной обработки в среде азота на DC-характеристики HEMT-транзисторов. Показано, что падение токов насыщения транзистора в результате плазменной обработки высокоэнергетичными ионами может быть связано с образованием на поверхности GaN cap-слоя транзисторной структуры зарядовых рассеивающих центров, которые приводят к кулоновскому рассеянию носителей в 2DEG канале, что приводит к падению тока насыщения приборов.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№5 (2018)