Статьи

Параметры роста, оптимальные электрофизические и оптические свойства, обеспечивающие достаточно высокие скорости преобразования солнечного излучения в электричество и предсказуемый и контролируемый характер значения КПД, определяются компьютерным моделированием полуфеноменологической модели гетероконтактной структуры и ее вольтамперной характеристики.

Ионная имплантация является основой многих технологических процессов электроники и микроэлектроники. Основными величинами, характеризующими внедрение ионов в твердое тело, являются: длина пробега иона до полной его остановки, среднее значение проекции полного пробега на направление движения R̅ p и среднее нормальное отклонение проекции пробега ΔR̅ p. Для расчета этих величин созданы компьютерные программы SRIM, TRIM, DYNE, которые требуют инсталляции на персональный компьютер и занимают большой объем жесткого диска, что не всегда оправдано в инженерной практике. В данной работе описан алгоритм простой, не требующей инсталляции, программы для вычисления R̅ p и ΔR̅ p. Основой алгоритма программы является теория Линхарда–Шарфа–Шиота.