Модель показателя преломления эпитаксиальных слоёв InP и InGaAsP (2015)
Проведено исследование показателя преломления бинарных соединений InP и четверных растворов InGaAsP. Проведен анализ критических точек в зоне Бриллюэна для полупроводниковых сплавов группы A3B5 со структурой цинковой обманки. Построена модель показателя преломления на широком диапазоне длин волн.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2015)