О возможности повышения рабочей температуры и улучшения параметров пороговых фотодиодов из антимонида индия (2015)
Исследованы температурные зависимости темновых токов и параметров пороговых фотодиодов на основе «низкоомных» и «высокоомных» кристаллов антимонида индия. Обнаружена смена механизма протекания темнового тока при температуре вблизи 90 К. Показаны и обсуждены преимущества пороговых фотодиодов на основе «низкоомных» кристаллов.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№5 (2015)