Научный архив: статьи

Найдено экономичное технологическое решение создания сегнетоэлектрических доменных структур с периодом d  40–100 мкм. Определены значения частоты упругих волн и температуры жидких электродов. Полученные результаты могут быть применены к технологии, ориентированной на массовое производство устройств на основе доменных структур, в частности, при изготовлении акустических фильтров и резонаторов с улучшенными характеристиками. Технология обладает малой продолжительностью технологического цикла и в то же время обеспечивает необходимую глубину инвертирования доменов.

С помощью моделирования процесса воздействия интерферирующих упругих волн на сегнетоэлектрик через тонкий слой проводящей жидкости (толщиной, меньшей полупериода формируемой структуры), показано, что при заданном значении пространственного периода доменной структуры возникает конструктивная дилемма частот. На основе результатов моделирования даны рекомендации по выбору частоты с учётом современного уровня развития техники гиперзвуковых пьезоизлучателей. В частности, установлено, что следует отдавать предпочтение проводящим жидкостям с большим коэффициентом A частотной зависимости показателя поглощения упругих волн  = Af 2. Значения «нижней» и «верхней» частот упругих волн зависят только от свойств жидкости и периода доменной структуры.