Исследование фотоэлектрических параметров фотоприемного модуля формата 320×256 на основе InGaAs (2014)
Исследованы темновые токи фотодиодов и основные фотоэлектрические параметры фотоэлектронных модулей коротковолнового ИК-диапазона (0,9—1,7 мкм) формата 320×256, выполненных с шагом 30 мкм на основе эпитаксиальных гетероструктур InGaAs на подложке InP и изготовленных по планарной и меза-технологии.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№5 (2014)