Спроектирована микросхема считывания для матрицы ИК‐фотодиодов на основе InGaAs/InP формата 320x256 для приборов ночного видения. Топология кристалла разработана для КМОП‐технологии с проектными нормами 0,8 мкм, двумя уровнями поликремния и двумя уровнями металла.
Рассмотрены основные области применения и преимущества твердотельных матричных фотоприемных устройств для ультрафиолетовой области спектра. Рассмотрена типичная структура фоточувствительных элементов и принципы построения интегральной схемы считывания. Предложен вариант ячейки считыванияразмером 30x30 мкм на основе емкостного трансимпедансного усилителя. Приведена структурная схема аналогового канала разрабатываемой интегральной схемы (ИС) считывания. Представлено сравнение с аналогом.