Исследования характеристик фоторезисторов из CdxHg1-xTe при сильных засветках (2011)
В работе исследованы характеристики КРТ‐фоторезисторов при сильных фоновых засветках.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2011)