Диффузия серы из подложки InP гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP при изготовлении pin-фотодиодов (2012)
Исследованы причины появления повышенной емкости pin-фотодиодов на основе InGaAs/InP. Показана связь повышенной емкости с диффузией серы из высоколегированной подложки InP в эпитаксиальный слой InGaAs. Такое неожиданное поведение серы объясняется образованием вакансий при диффузии кадмия в слой InGaAs, которые способствуют увеличению коэффициента диффузии серы в InGaAs.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№5 (2012)