Статьи

Целью работы является исследование структурных параметров фазы 1-2-3 прецизионным рентгенодифракционным методом. Проведено уточнение состава и структурных параметров до фактора расходимости R = 0,008. Состав вещества может быть выражен формулой. Более высокие значения среднеквадратичных амплитуд колебаний атомов и анизотропии колебаний получены для Си1 и О1, находящихся в базисной плоскости z = 0. Сопоставление с данными, полученными при низких температурах, позволяет предположить, что высокая подвижность Си1 и О1 связана со статическими смещениями атомов из своих кристаллографических позиций. Имеется корреляция между отклонением от стехиометрии по кислороду, периодом решетки с и величиной температуры сверхпроводящего перехода Tc. Увеличение содержания кислорода сопровождается повышением Tc. Построены зависимости изотропных среднеквадратичных амплитуд колебаний атомов-компонент соединений от содержания кислорода. Для атома О1 в тетрагональной фазе наблюдается заметный рост среднеквадратичных амплитуд колебаний с возрастанием кислородного индекса, что может быть связано с увеличением неустойчивости структуры. Можно заключить, что анализ прецизионных дифракционных исследований оксидов иттрия-бария-меди позволяет выявить структурные особенности, обусловливающие нестабильность этого класса материалов

Цель работы – теоретическое и экспериментальное исследование электронного строения CrB2. По данным прецизионных рентгенодифракционных экспериментов при комнатной и
низких температурах построены распределения деформационной и валентной электронной плотности (РЭП). Рассчитано теоретическое РЭП на основе модифицированного статистического метода. РЭП для двух типов псевдопотенциала показывают достаточно хорошее совпадение как по топологии, так и по численным значениям во всех областях за исключением ионных остовов. Сравнение экспериментального и теоретического распределения показало их согласие в областях химической связи кроме различия на линии Cr–Сr. Обнаруженные особенности РЭП и теплового движения атомов указывают на квазислоистый характер электронной структуры. Высокая степень локализации s, p-состояний бора определяет решеточные свойства диборидов. Полученные результаты могут быть полезны для синтеза сверхтвердых веществ и создания перспективных материалов техники.