SCI Библиотека

Исследуется электрическое поле вблизи заряженного проводящего острия с осевой симметрией, находящегося в жидкости. Рассматривается задача, в которой рядом с острием, на его оси, в жидкости присутствует пузырек, например, газа. Пузырек находится на оси острия, а его форма имеет общую с острием ось симметрии. Задача решается численно. Поля в каждой однородной области задачи представляются непрерывными распределениями вспомогательных зарядов. Граничные условия удовлетворяются в дискретных точках граничных поверхностей методом коллокации. Обсуждается распределение величины электрического поля в жидкости и внутри пузырька при различных условиях.

В данной работе исследовано влияние условий синтеза коллоидных квантовых точек на количество и типы поверхностных состояний, которые, в свою очередь, определяют быстродействие фотосенсоров на их основе. Показано, что замена этандитиола на β-меркаптоэтанол позволяет повысить быстродействие фоторезисторов на осно- ве ККТ HgTe на три порядка.

Впервые на основе коллоидных нанокристаллов AgInS2 с помощью замены лигандов в растворе были получены чернила, пригодные для изготовления фоточувствительных структур. В рамках исследования была подобрана система стабилизирующих лигандов, с которыми полученный золь в диметилформамиде сохранял стабильность в течении двух недель без существенной агломерации. ИК-Фурье спектроскопия подтвердила полноту замены лигандов. С помощью микроплоттера на основе полученных коллоидных материалов на золотых встречно-штыревых электродах была получена фоточувствительная структура фоторезистивного типа, для которой измерены фотоэлектрические характеристики при засвечивании лазером 405 нм.

Представлены результаты экспериментов по прямому измерению электрического поля в отверстии тороида с переменным током частотой 50 Гц. В первом эксперименте использован экранированный зарядочувствительный датчик в виде металлического стержня. При этом обнаружено, что в случае традиционного одноточечного заземления экран не является эквипотенциальным и полностью блокирует работу датчика. Принудительная эквипотенциальность экрана выполнена с помощью двухточечного заземления, при этом датчик внутри экрана успешно регистрирует переменное электрическое поле. Результат эксперимента объясняется присутствием на оси тороида нестационарного безвихревого вектор-потенциала, который оказывает силовое воздействие на свободные электроны в металлическом зонде. Во втором эксперименте использован ползунковый реостат. Такая схема позволяет отказаться от заземленного экрана и эксперимент максимально упрощается. Выводы, полученные в результате экспериментов, дополняют представление о векторном потенциале и его свойствах и могут быть использованы при решении задач электромагнитной совместимости.

В составе мелкодисперсного осадка, доставленного с поверхности Международной космической станции (МКС), обнаружены частицы космической пыли, частицы ме- теороидного, вулканического и морского происхождения, обогащенные органикой. Эти частицы присутствуют в экзосфере Земли и в условиях корпускулярного, рентге- новского и ультрафиолетового облучения являются агрессивным агентом для мате- риалов поверхности орбитальных станций. Анализ элементного состава осадка на по- верхности МКС позволил оценить влияние обнаруженных элементов на стойкость конструкционных материалов орбитальных объектов, а также установить источ- ники их поступления на поверхность МКС

Создана экспериментальная установка для микро- и наноструктурирования поверхности на основе импульсно-периодических ArF-лазера (λ = 193 нм) u Nd: YAG лазера (λ = 532 нм u λ = 355 нм). Описаны схема работы u основные параметры установки. Экспериментально продемонстрирована возможность получения структур с микронными u субмикронными размерами на поверхности диоксида циркония u титана npu облучении наносекундными лазерными импульсами. Представлены микрофотографии поверхностных структур на образцах из диоксида циркония u титана.

Исследовано воздействие на поверхность p-n-переходов на основе гетероструктур InGaAs/InP, изготовленных по мезатехнологии, плазмы хладона-14. В ходе экспериментов варьировались составы газовой смеси, температура и время плазмохимической обработки. Оценивался уровень темнового тока p-n-перехода, а также состояние приповерхностного слоя p-n-перехода (структурное совершенство, оптические параметры, состав) до и после обработки.

Работа посвящена актуальной проблеме минимизации удельной емкости pin-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP, выращенных МОС-гидридной эпитаксией. Проанализированы профили концентрации атомов серы, полученные методом масс-спектроскопии вторичных электронов (ВИМС), и рассчитаны по C-V-характеристикам профили концентрации неосновных носителей заряда в структуре pin-фотодиодов. Исследованы и выявлены причины появления повышенной емкости InGaAs/InP pin-фотодиодов, связанные с аномальной диффузией серы из подложки InP и разработаны меры по их устранению. В результате значительно повышен процент годных по емкости фотодиодов.

Приведены результаты измерения фотоэлектрической связи матричного фотоприемного устройства ультрафиолетового диапазона спектра, созданного в ОАО «НПО «Орион». Фотоприемное устройство изготовлено на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN на подложке GaN с помощью разделения верхних эпитаксиальных слоев на мезаобласти. Приведена схема установки. Измерения показали нетривиальный результат – отрицательную величину коэффициента фотоэлектрической связи, то есть падение уровня темнового сигнала на некоторых фоточувствительных элементах, окружающих засвечиваемый элемент.

Исследован эффект «паразитного излучения» в матричных фотоприемных устройствах (МФПУ) на основе антимонида индия. Установлено, что паразитное излучение попадает на матричный фоточувствительный элемент через щели, предназначенные для вывода платиновых контактов с растра на керамическое кольцо вакуумного корпуса МФПУ. Подавление эффекта достигнуто путем использования конструкции типа «экран» и установкой холодного оптического фильтра в плоскости входного окна диафрагмы. В конструкции МФПУ с цилиндрической диафрагмой уровень и разброс по площади фоточувствительного элемента паразитного излучения достигают минимальных значений.