В книге приведены основные сведения о нанотехнологиях и нанообъектах, рассмотрены характерные особенности и свойства наночастиц. Значительное внимание уделено функциональным и конструкционным материалам (фуллеренам, углеродным нанотрубкам, ленгмюровским молекулярным пленкам) и их применению, а также методам получения наночастиц и упорядоченных наноструктур. Приводятся результаты искусственного наноформообразования, описаны методы зондовой нанотехнологии, пучковые и другие новые методы нанолитографии.
Для студентов и аспирантов высших учебных заведений, специализирующихся по направлению «Нанотехнология».
В книге приведены основные сведения о нанотехнологиях и нанообъектах, рассмотрены характерные особенности и свойства наночастиц. Значительное внимание уделено функциональным и конструкционным материалам (фуллеренам, углеродным нанотрубкам, ленгмюровским молекулярным пленкам) и их применению, а также методам получения наночастиц и упорядоченных наноструктур. Приводятся результаты искусственного наноформообразования, описаны методы зондовой нанотехнологии, пучковые и другие новые методы нанолитографии.
Для студентов и аспирантов высших учебных заведений, специализирующихся по направлению «Нанотехнология».
Книга Г. Цао и Ин Ван «Наноструктуры и наноматериалы: синтез, свойства и применение» является обобщением фундаментальных принципов и технологических подходов к синтезу, изготовлению и обработке наноструктур и наноматериалов. Она предоставляет читателям систематический, всеобъемлющий обзор материала по нанотехнологии - бурно развивающемуся симбиозу фундаментальных научных исследований и технологии проектирования и изготовления наноструктур и наноматериалов и применению наноматериалов и наноструктур. Подробность подачи материала и сочетание изложения фундаментальных физическо-химических основ процессов с рассмотрением конкретных технологий и технических приложений делает книгу привлекательной как для специалистов, так и для новичков в данном предмете.
Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники», включающего учебную программу дисциплины, лабораторный практикум, пособие по курсовой работе, методические указания по самостоятельной работе, контрольно-измерительные материалы «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Банк тестовых заданий», наглядное пособие «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Презентационные материалы».
В данном издании представлены материалы, отражающие современное состояние микро- и наноэлектроники, а также перспективы развития этих отраслей.
Предназначен для студентов направления подготовки магистров 210100.68 «Электроника и микроэлектроника» укрупненной группы 210000 «Электроника, радиотехника и связь», а также может быть использован всеми интересующимися электроникой и наноэлектроникой.
Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем(ИМС) во всех радиотехнических схемах и аппаратуре. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. Отсюда особо важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов.
Качество и надежность элементной базыинтегральных микросхем во многом определяются технологией их изготовления. При технологическом проектировании синтезируется оптимальная структура технологического процесса обработки и сборки, позволяющая максимально использовать отработанные типовые процессы и обеспечивать высокую воспроизводимость, минимальные трудоемкость и стоимость с учетом конструкторских требований. Вследствие сложности и многостадийности технология ИМС выделилась в самостоятельную научную дисциплину. Она предполагает совокупность технологических процессов изготовления, контрольно-измерительных операций, а также физических, химических и механических испытаний, осуществляемых с исходными материалами и полуфабрикатами или отдельными электронными элементами для получения ИМС, как законченных изделий, обладающих заданными параметрами.
На современном этапе развития микроэлектроники используются два основных вида интегральных микросхем:
пленочные интегральные микросхемы;
полупроводниковые интегральные микросхемы.
Пленочные ИМС создаются на диэлектрической подложке путемпослойного нанесения пленок различных материалов с одновременным формированием из них микроэлементов и их соединений.
Полупроводниковые ИМС создаются путем локального воздействия на микроучастки полупроводникового кристалла и придания им свойств, соответствующих функциям микроэлементов и их соединений.
