SCI Библиотека

Методами электронографии, электронной и зондовой микроскопии изучено строение пленок, полученных отжигом на воздухе и в азоте предварительно нанесенных слоев металлического алюминия на (0001) поверхность сапфировых пластин. Совершенство получаемых пленок Al2O3 повышается с повышением температуры отжига на воздухе до 1400 °С, со снижением скорости нагрева до 50 °С час-1, а также при наличии на поверхности пленки микрорельефа. При отжиге в азоте получены многослойные, неоднородные по составу пленки оксидов алюминия.

Экспериментально исследовано влияние легирование редкоземельным элементом диспрозием Dy на фотопроводимость монокристаллов селенида галлия p-GaSe. Установлено, что при определенных содержаниях введенной примеси (N = 10-2÷10-1 ат. %) наблюдаются наиболее стабильные фотоэлектрические параметры и характеристики этого полупроводника. Полученные результаты объясняются на основе двухбарьерной энергетической модели пространственно-неоднородного полупроводника и показано, что монокристаллы p-GaSe<Dy> могут быть пригодными материалами для создания широкополосных фотоприемников света в ульрафиолетовом и видимом диапазонах оптического спектра.

Для предотвращения раннего краевого пробоя в планарных лавинных фотодиодах на основе InGaAs/InP часто используют структуру p–n-перехода с заглубленной центральной областью и мелкой периферией. В статье говорится о p–n-переходе с разными глубинами залегания, полученного одностадийной диффузией. Такой переход получается при прохождении примеси через плёнку SiO2 определённой толщины. Приведены результаты экспериментов, проведённых на образцах с плёнками SiO2, выращенных разными методами. Результаты исследований показали, что образцы с плёнкой SiO2, выращенной пиролитическим методом при T = 250 К, имеют лучше характеристики по сравнению с остальными. Уменьшая температуру пиролитического осаждения SiO2, можно улучшить C-V характеристики.

Представлена модель для расчета отношения сигнал/шум КРТ ФПУ на базе канала считывания фотосигнала с прямоинжекционным входным каскадом, работающего в ITR и IWR режимах. Модель позволяет рассчитать и оптимизировать шумовые характеристики ФПУ при наличии экспериментальных параметров фотодиода и характеристик кремниевой технологии изготовления микросхемы считывания. В модели учтены следующие механизмы шума: дробовой шум фотодиода, обусловленный флуктуациями потока излучения и темнового тока; тепловые шумы фотодиода и основных узлов канала считывания; шумы сброса; 1/f-шумы фотодиода и основных узлов канала считывания. Также в модели учитывается эффективность инжекции фототока и влияние паразитных емкостей шин мультиплексирования.

Изучено влияние anti-debiasing подслоя на электрические характеристики и фотоответ дефектных и недефектных фотоэлементов в длинноволновых фотоприёмных устройствах (ФПУ) на основе материала кадмий-ртуть-теллур. Показано, что наиболее ярким следствием наличия в структуре фотоэлементов матрицы паразитного диода с p–n-переходом на границе фоточувствительной плёнки с anti-debiasing подслоем является возникновение отрицательного фотоответа дефектных фотоэлементов ФПУ.

В настоящей работе представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств механически напряженных InGaAs/AlGaAs гетероструктур с квантовыми ямами различной конструкции, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на GaAs подложке и предназначенных для средневолновых инфракрасных широкоформатных фотоприемных матриц, работающих в спектральном диапазоне 3÷5 мкм. Показано, что изменение состава барьерных слоев приводит к существенному сдвигу спектров фоточувствительности таких гетероструктур.

В данной работе проведен расчет шумовых и сигнальных характеристик фотоприемников инфракрасного диапазона на основе материала с квантовыми точками германия на кремнии. Оценивается темновой ток через такие структуры, обусловленный тепловой эмиссией носителей и туннелированием носителей в поле, а также обнаружительная способность фотодетектора в приближении работы в режиме ограничения генерационно-рекомбинационными шумами. Предлагаются ростовые условия в методе молекулярно-лучевой эпитаксии, благоприятные для создания массивов квантовых точек, которые в дальнейшем могут использоваться для создания инфракрасных фотодетекторов.

Исследованы характеристики матричных фотоприемных устройств на основе QWIP-структур формата 384288 элементов с шагом 25 мкм. Установлено различие спектральных и вольтамперных характеристик для пластин эпитаксиальных структур QWIP. Наблюдается неоднородность выходного сигнала по площади фоточувствительных элементов с градиентами в различных направлениях. Фотоэлектрические параметры МФПУ сильно зависят от температуры охлаждаемого узла и смещения на фоточувствительном элементе. Эквивалентная шуму разность температур МФПУ составила 30 мК на кадровой частоте 120 Гц при температуре охлаждаемого узла 65 К.

В настоящее время в развитии экономики государства одну из главных ролей играет инвестиционная деятельность. В свою очередь, инвестиционная деятельность осуществляется с помощью определенных механизмов. Одним из механизмов осуществления инвестиционной деятельности выступает совместная деятельность инвесторов, направленная на частные (извлечение прибыли) и публичные (развитие экономической составляющей государства) интересы. В связи с тем, что в отечественном законодательстве отсутствовали приемлемые для инвестиционного сообщества договорные организационно-правовые формы осуществления коллективной инвестиционной деятельности, учитывающие особенности реализации особо рисковых бизнес-проектов, опираясь на положительный инвестиционный опыт западных стран, отечественное законодательство пришло к созданию правового института инвестиционного товарищества. Правовое регулирование инвестиционного товарищества позволяет ему быть промежуточным между товариществом на вере и простым товариществом, обеспечив сохранение их в неизменном виде и возможность применения для всех тех целей, для которых они могут быть использованы. Конструкция инвестиционного товарищества максимально приближена по своему характеру к одной из самых распространенных и приемлемых для инвесторов форм коллективного рискового инвестирования — ограниченного партнерства. Однако на сегодняшний день правовое регулирование ограниченного партнерства в Великобритании не отражает текущую бизнес практику, и характеризуется как «общий и довольно архаичный законодательный акт»

Национальные ювелирные изделия — важный элемент культурного наследия любой страны, вобравший в себя уникальные традиции народа, созданные самобытным художественным талантом народных умельцев. Они служат не только в качестве украшений в повседневной жизни человека, но и олицетворяют историю времен, неразрывную связь поколений, являются символом национальной идентичности. В статье обобщенно рассматривается исторический путь ювелирного искусства в Казахстане, начиная с древних времен и заканчивая его современными тенденциями. Кратко описывается зарождение и развитие технологий обработки кочевыми народами различных материалов, включая металл, кости, камни и дерево, которые использовались для создания неповторимых ювелирных изделий со своеобразным национальным дизайном. В данной статье особое внимание уделяется исследованию значения ювелирных изделий как элемента национального наследия. Сохранение культурного суверенитета обеспечивает и укрепляет национальную идентичность всех народов, проживающих в многонациональном Казахстане, а также устойчивое цивилизационное развитие страны. Анализируются современные тенденции и перспективы развития, главным образом, казахского ювелирного искусства в условиях глобализации. Данное исследование основано на анализе, содержащем современную интерпретацию исторических источников, археологических находок, что позволяет дать всестороннюю оценку культурной и художественной ценности казахских ювелирных изделий. Для полноты картины привлекаются интервью с сегодняшними мастерами ювелирной отрасли Казахстана.