Найти:

Войцеховский Александр Васильевич Voytsehovskiy Aleksandr Vasilevich

Автор Докладчик

молекулярно-лучевая эпитаксия, HgCdTe, МДП-структура, варизонный слой, адмиттанс, nBn

Учёная степень

Доктор наук

Учёное звание

Профессор

0000000200

SPIN-код

2257-4512

Город

Томск

Заходил

показать

Подробнее

Библиотека

Конференции

Контакты

Участник конференций: 1

29.05 / 31.05 2024 г. XXVII МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФОТОЭЛЕКТРОНИКЕ И ПРИБОРАМ НОЧНОГО ВИДЕНИЯ

Формат участия: Докладчик

Доклад №1: Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As

Доклад №2: Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Доклад №3: Механизмы формирования тока в nBn- структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Работы Войцеховского А. В.: новые поступления

Оптимизация ростовых условий для улучшен…

Лазерная генерация в структурах КРТ с кв…

Особенности адмиттанса МДП-структур на о…

Исследование полной проводимости МДП-стр…

Темновой ток и обнаружительная способнос…

Радиационное дефектообразование при ионн…

Библиотека Войцеховского А. В.: новые поступления

Особенности адмиттанса МДП-структур на о…

Темновой ток и обнаружительная способнос…

Радиационное дефектообразование при ионн…

Свойства границы раздела в МДП-структура…

Анализ барьерных структур типа nBn для ф…

Влияние варизонного слоя на адмиттанс МД…

Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.