SciNetwork
  • Поиск
  • Библиотека 577
  • Журналы 13
  • Организации 2
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Формулы
  • Вход
Найти:
Войти Регистрация
Рабочий стол Мои работы Моя библиотека Мои сообщения Мои контакты Мои группы Мои конференции Мои фотографии Добавить Мои формулы Мой словарь Мои закладки
Чтобы продолжить, войдите в аккаунт или зарегистрируйтесь.
Приложение
на телефон

Войцеховский Александр Васильевич

Автор, Докладчик конференций
Город
Томск
Учёная степень
Доктор наук
Учёное звание
Профессор
SciID
0000000200
SPIN-код
2257-4512
ОНП
HgCdTe, молекулярно-лучевая эпитаксия, адмиттанс, nBn, барьерная структура, МДП-структура
Заходил
показать
ОНП
HgCdTe, молекулярно-лучевая эпитаксия, адмиттанс, nBn, барьерная структура, МДП-структура
29
работы
21
библиотека
0
блог
1
конференции
0
группы
0
контакты
Участник конференций: 1
29.05 / 31.05 2024 г. XXVII МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФОТОЭЛЕКТРОНИКЕ И ПРИБОРАМ НОЧНОГО ВИДЕНИЯ
Формат участия: Докладчик
Доклад №1: Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Доклад №2: Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Доклад №3: Механизмы формирования тока в nBn- структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Работы Войцеховского А. В.: новые поступления
Темновой ток и обнаружительная способность фотоприемников с квантовыми точками германия на кремнии
Статья
Темновой ток и обнаружительная способнос…
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации бора в эпитаксиальные пленки Hg1-xCdxTe различного состава
Статья
Радиационное дефектообразование при ионн…
Свойства границы раздела в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,29—0,39) с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3
Статья
Свойства границы раздела в МДП-структура…
Анализ барьерных структур типа nBn для фотодиодных приёмников ИК-излучения
Статья
Анализ барьерных структур типа nBn для ф…
Влияние варизонного слоя на адмиттанс МДП-структур с диэлектриком Al2O3 на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,22—0,23)
Статья
Влияние варизонного слоя на адмиттанс МД…
Aдмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21–0,23) в широком диапазоне температур
Статья
Aдмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1…
 
Ещё ...
Библиотека Войцеховского А. В.: новые поступления
Темновой ток и обнаружительная способность фотоприемников с квантовыми точками германия на кремнии
Статья
Темновой ток и обнаружительная способнос…
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации бора в эпитаксиальные пленки Hg1-xCdxTe различного состава
Статья
Радиационное дефектообразование при ионн…
Свойства границы раздела в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,29—0,39) с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3
Статья
Свойства границы раздела в МДП-структура…
Анализ барьерных структур типа nBn для фотодиодных приёмников ИК-излучения
Статья
Анализ барьерных структур типа nBn для ф…
Влияние варизонного слоя на адмиттанс МДП-структур с диэлектриком Al2O3 на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,22—0,23)
Статья
Влияние варизонного слоя на адмиттанс МД…
Aдмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21–0,23) в широком диапазоне температур
Статья
Aдмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1…
 
Ещё ...
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
Написать
Добавить в контакты
Другие действия
Пожаловаться
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2026
SciNetwork, © 2026
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.