Статья: Анализ барьерных структур типа nBn для фотодиодных приёмников ИК-излучения
В данной статье представлен анализ современных тенденций в развитии технологии барьерных фоточувствительных структур на основе CdxHg1-xTe (КРТ) для среднего и дальнего инфракрасного (ИК) диапазонов, работающих при температурах, близких к комнатным. Рассмотрены и проанализированы основные подходы к решению задачи повышения рабочей температуры фотодиодного приёмника.
Информация о документе
- Формат документа
- Кол-во страниц
- 1 страница
- Загрузил(а)
- Лицензия
- —
- Доступ
- Всем
Информация о статье
Статистика просмотров
Статистика просмотров статьи за 2026 год.
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.