Статья: Фотоответ дефектных фотоэлементов в матричных КРТ-фотоприёмниках с anti-debiasing подслоем

Изучено влияние anti-debiasing подслоя на электрические характеристики и фотоответ дефектных и недефектных фотоэлементов в длинноволновых фотоприёмных устройствах (ФПУ) на основе материала кадмий-ртуть-теллур. Показано, что наиболее ярким следствием наличия в структуре фотоэлементов матрицы паразитного диода с p–n-переходом на границе фоточувствительной плёнки с anti-debiasing подслоем является возникновение отрицательного фотоответа дефектных фотоэлементов ФПУ.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2016
Автор(ы)
Васильев В. В., Вишняков А. В., Дворецкий С. А., Дворецкий С. А., Предеин А. В., Сабинина И. В., Сидоров Ю. Г., Стучинский В. А.
Каталог SCI
Физика