SciNetwork
  • Поиск
  • Библиотека 316
  • Журналы 10
  • Организации 6
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Формулы
  • Вход
Найти:
Войти Регистрация
Рабочий стол Мои работы Моя библиотека Мои сообщения Мои контакты Мои группы Мои подписки Мои конференции Мои фотографии Добавить Мои формулы Мой словарь Мои закладки Моя история
Чтобы продолжить, войдите в аккаунт или зарегистрируйтесь.
Приложение
на телефон

Будтолаев Андрей Константинович Budtolaev Andrey Konstantinovich

Статусы
Автор Участник конференций
Место работы
АО "НПО "ОРИОН"
Ведущий научный сотрудник
ОНП
ingaasinp, лавинный фотодиод, эпитаксиальные гетероструктуры, sio2, диффузия, глубина p–n-перехода
Должность (ВУЗ, НИИ)
Ведущий научный сотрудник
SciID
0000000479
SPIN-код
7629-9074
Город
Москва
Заходил
показать
Подробнее
Работы
11
Библиотека
9
Блог
0
Конференции
1
Группы
0
Контакты
0
Участник конференций: 1
29.05 / 31.05 2024 г. XXVII МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФОТОЭЛЕКТРОНИКЕ И ПРИБОРАМ НОЧНОГО ВИДЕНИЯ
Формат участия: Участник
Работы Будтолаева А. К.: новые поступления
Исследование омического контакта AuGe/n+-GaP
Статья
Исследование омического контакта AuGe/n+…
Эффективность методов геттерирования высокоомного кремния для фотодиодов
Статья
Эффективность методов геттерирования выс…
Пассивация и защита поверхности фотодиодов на основе In1-xGaxAs1-yPy/InP пленкой нитрида кремния
Статья
Пассивация и защита поверхности фотодиод…
Формирование охранного кольца лавинного фотодиода на основе гетероструктуры InGaAs/InP
Статья
Формирование охранного кольца лавинного …
Использование тонких пленок SiO2 для формирования охранного кольца в лавинных фотодиодах на основе InGaAs/InP
Статья
Использование тонких пленок SiO2 для фор…
Эпитаксиальные структуры для лавинных фотодиодов на основе InGaAs/InP
Статья
Эпитаксиальные структуры для лавинных фо…
 
Ещё ...
Библиотека Будтолаева А. К.: новые поступления
Эффективность методов геттерирования высокоомного кремния для фотодиодов
Статья
Эффективность методов геттерирования выс…
Формирование охранного кольца лавинного фотодиода на основе гетероструктуры InGaAs/InP
Статья
Формирование охранного кольца лавинного …
Использование тонких пленок SiO2 для формирования охранного кольца в лавинных фотодиодах на основе InGaAs/InP
Статья
Использование тонких пленок SiO2 для фор…
Эпитаксиальные структуры для лавинных фотодиодов на основе InGaAs/InP
Статья
Эпитаксиальные структуры для лавинных фо…
Фотодиод на основе GaP для среднего ИК-диапазона
Статья
Фотодиод на основе GaP для среднего ИК-д…
Влияние разброса глубины p–n-перехода на параметры лавинных фотодиодов на основе InGaAs/InP
Статья
Влияние разброса глубины p–n-перехода на…
 
Ещё ...
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
Написать
Добавить в контакты
Другие действия
Пожаловаться
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2026
SciNetwork, © 2026
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.