SciNetwork
  • Поиск
  • Библиотека 510
  • Журналы 12
  • Организации 2
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Формулы
  • Вход
Найти:
Войти Регистрация
Рабочий стол Мои работы Моя библиотека Мои сообщения Мои контакты Мои группы Мои конференции Мои фотографии Добавить Мои формулы Мой словарь Мои закладки
Чтобы продолжить, войдите в аккаунт или зарегистрируйтесь.
Приложение
на телефон

Будтолаев Андрей Константинович

Автор, Участник конференций
Город
Москва
Место работы
АО "НПО "ОРИОН"
Должность: Ведущий научный сотрудник
Должность (ВУЗ, НИИ)
Ведущий научный сотрудник
SciID
0000000479
SPIN-код
7629-9074
ОНП
ingaasinp, лавинный фотодиод, эпитаксиальные гетероструктуры, sio2, диффузия, глубина p–n-перехода
Заходил
показать
Место работы
АО "НПО "ОРИОН"
Должность: Ведущий научный сотрудник
ОНП
ingaasinp, лавинный фотодиод, эпитаксиальные гетероструктуры, sio2, диффузия, глубина p–n-перехода
10
работы
8
библиотека
0
блог
1
конференции
0
группы
0
контакты
Участник конференций: 1
29.05 / 31.05 2024 г. XXVII МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФОТОЭЛЕКТРОНИКЕ И ПРИБОРАМ НОЧНОГО ВИДЕНИЯ
Формат участия: Участник
Работы Будтолаева А. К.: новые поступления
Эффективность методов геттерирования высокоомного кремния для фотодиодов
Статья
Эффективность методов геттерирования выс…
Пассивация и защита поверхности фотодиодов на основе In1-xGaxAs1-yPy/InP пленкой нитрида кремния
Статья
Пассивация и защита поверхности фотодиод…
Формирование охранного кольца лавинного фотодиода на основе гетероструктуры InGaAs/InP
Статья
Формирование охранного кольца лавинного …
Использование тонких пленок SiO2 для формирования охранного кольца в лавинных фотодиодах на основе InGaAs/InP
Статья
Использование тонких пленок SiO2 для фор…
Эпитаксиальные структуры для лавинных фотодиодов на основе InGaAs/InP
Статья
Эпитаксиальные структуры для лавинных фо…
Фотодиод на основе GaP для среднего ИК-диапазона
Статья
Фотодиод на основе GaP для среднего ИК-д…
 
Ещё ...
Библиотека Будтолаева А. К.: новые поступления
Формирование охранного кольца лавинного фотодиода на основе гетероструктуры InGaAs/InP
Статья
Формирование охранного кольца лавинного …
Использование тонких пленок SiO2 для формирования охранного кольца в лавинных фотодиодах на основе InGaAs/InP
Статья
Использование тонких пленок SiO2 для фор…
Эпитаксиальные структуры для лавинных фотодиодов на основе InGaAs/InP
Статья
Эпитаксиальные структуры для лавинных фо…
Фотодиод на основе GaP для среднего ИК-диапазона
Статья
Фотодиод на основе GaP для среднего ИК-д…
Влияние разброса глубины p–n-перехода на параметры лавинных фотодиодов на основе InGaAs/InP
Статья
Влияние разброса глубины p–n-перехода на…
Методики расчета и контроля разностной дозы примеси в лавинных InGaAs/InP структурах
Статья
Методики расчета и контроля разностной д…
 
Ещё ...
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
Написать
Добавить в контакты
Другие действия
Пожаловаться
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2026
SciNetwork, © 2026
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.