Статья: Эпитаксиальные структуры для лавинных фотодиодов на основе InGaAs/InP

В настоящей работе приведены экспериментальные исследования влияния режимов МОСгидридной эпитаксии на структурные и электрофизические свойства гетероструктур InGaAs/InP. Выбранные режимы использовались для выращивания приборных структур, на которых изготовлены планарные лавинные фотодиоды. По результатам измерения их фотоэлектрических характеристик был сделан вывод о возможности использования разработанных структур для изготовления планарных лавинных фотодиодов.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2016
Автор(ы)
Будтолаев А. К., Хакуашев П. Е., Чинарева И. В., Горлачук П. В., Ладугин М. А., Мармалюк А. А., Рябоштан Ю. Л., Яроцкая И. В.
Каталог SCI
Физика