Статья: Эффективность методов геттерирования высокоомного кремния для фотодиодов (2015)

Читать онлайн

Проведено сравнение методов геттерирования при изготовлении фотодиодов на основе высокоомного кремния (p–i–n-фотодиодов). Эффективность геттерирования оценивалась по величине обратных токов фотодиодов при рабочем напряжении 200 В. Лучшие результаты получены на образцах с геттерированием методом диффузионного легирования фосфором нерабочей стороны пластины. Плотность обратных токов составила (2,3—3,4)10-9 А/мм2.

Consideration is given to a comparison of methods for gettering in the manufacture of photodiodes on the basis of high-resistivity silicon (p–i–n-photodiodes). Efficacy of gettering was evaluated on the reverse currents of photodiodes at an operating voltage of 200 V. The best results were obtained for samples with gettering by diffusion doping with phosphorus trailing side of the plate. The density of the reverse currents was (2.3—3.4)10-9 A/mm2.

Ключевые фразы: кремний, геттерирование, диффузия, фосфор, ионная имплантация, аргон, хлор
Автор (ы): Будтолаев Андрей Константинович, Евлентьев Иван Александрович, Либерова Галина Владимировна, Сиваченко Сергей Дмитриевич, Степанюк Владимир Евгеньевич
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.5. Проводники и полупроводники по виду материала
621.383. Фотоэлектроника
eLIBRARY ID
25033483
Для цитирования:
БУДТОЛАЕВ А. К., ЕВЛЕНТЬЕВ И. А., ЛИБЕРОВА Г. В., СИВАЧЕНКО С. Д., СТЕПАНЮК В. Е. ЭФФЕКТИВНОСТЬ МЕТОДОВ ГЕТТЕРИРОВАНИЯ ВЫСОКООМНОГО КРЕМНИЯ ДЛЯ ФОТОДИОДОВ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2015. №6
Текстовый фрагмент статьи