Статья: Уменьшение времени восстановления чувствительности в p–i–n-фотодиодах на основе InGaAs/InP после воздействия мощных импульсных фоновых засветок (2015)

Читать онлайн

Предложена топология фотодиода, обеспечивающая малые времена восстановления чувствительности. В предложенной топологии фоточувствительная площадка окружена “карманом”, устраняющим медленные диффузионные составляющие в периферийном фотоотклике. Приведены экспериментальные результаты, подтверждающие уменьшение времени восстановления чувствительности.

The topology of photodiode for the high-speed, low-noise 0.9—1.7 μm InGaAs photodetectors providing short times of a restore sensitivity is proposed. In the proposed topology, a photosensitive area is surrounded by a “pocket” that allowed almost twice the diameter of the reduced collection of slow diffusion components peripheral photoresponse — from 70 to 40 μm and almost 30-fold to reduce the length of the trailing edge from 1000 to 34 ns

Ключевые фразы: фотодиод, засветка, инерционность, время восстановления
Автор (ы): Андреев Дмитрий Сергеевич, Варганова Виолетта Станиславовна, Хакуашев Павел Евгеньевич, Чинарева Инна Викторовна, Дирочка Александр Иванович
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383. Фотоэлектроника
eLIBRARY ID
25033481
Для цитирования:
АНДРЕЕВ Д. С., ВАРГАНОВА В. С., ХАКУАШЕВ П. Е., ЧИНАРЕВА И. В., ДИРОЧКА А. И. УМЕНЬШЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ В P–I–N-ФОТОДИОДАХ НА ОСНОВЕ INGAAS/INP ПОСЛЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ФОНОВЫХ ЗАСВЕТОК // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2015. №6
Текстовый фрагмент статьи