Статья: Эпитаксиальные структуры для лавинных фотодиодов на основе InGaAs/InP (2016)

Читать онлайн

В настоящей работе приведены экспериментальные исследования влияния режимов МОСгидридной эпитаксии на структурные и электрофизические свойства гетероструктур InGaAs/InP. Выбранные режимы использовались для выращивания приборных структур, на которых изготовлены планарные лавинные фотодиоды. По результатам измерения их фотоэлектрических характеристик был сделан вывод о возможности использования разработанных структур для изготовления планарных лавинных фотодиодов.

Consideration is given to an experimental investigation of the technological modes influence on structural and electrophysical characteristics of epitaxial InGaAs/InP heterostructures. In particular, the article presents the results of producing and investigating of InP, InGaAs doped and non-doped layers, as well as analyses characteristics of heterostructure samples produced. A heteroepi-taxial structure was grown and a planar avalanche photodiode was made on the basis of the selected technological modes. Photoelectrical characteristics of the above-mentioned photodiode show that the developed structures may be used for production of commercial planar avalanche photodiodes.

Ключевые фразы: эпитаксиальные гетероструктуры, ingaasinp, мос-гидридная эпитаксия, лавинный фотодиод
Автор (ы): Будтолаев Андрей Константинович, Хакуашев Павел Евгеньевич, Чинарева Инна Викторовна, Горлачук Павел Владимирович, Ладугин Максим Анатольевич, Мармалюк Александр Анатольевич, Рябоштан Юрий Леонидович, Яроцкая Ирина Валентиновна
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383. Фотоэлектроника
eLIBRARY ID
25505467
Для цитирования:
БУДТОЛАЕВ А. К., ХАКУАШЕВ П. Е., ЧИНАРЕВА И. В., ГОРЛАЧУК П. В., ЛАДУГИН М. А., МАРМАЛЮК А. А., РЯБОШТАН Ю. Л., ЯРОЦКАЯ И. В. ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ INGAAS/INP // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2016. №1
Текстовый фрагмент статьи