Исследования по совершенствованию нормативных карт ОСР-97 и методологии их создания проводились в связи с реализацией федеральной целевой программы (ФЦП) «Повышение устойчивости жилых домов, основных объектов и систем жизнеобеспечения в сейсмических районах Российской Федерации на 2009–2013 годы», утвержденной постановлением Правительства РФ № 365 и затем продленной до 2018 года. Эта ФЦП способствовала более тесному сотрудничеству академических и отраслевых институтов и организаций и активизации научно-исследовательских работ, связанных с уточнением сейсмической опасности на территории страны и актуализацией нормативных документов, направленных на обеспечение сейсмической безопасности.
Изложены вопросы теории электромагнитного поля, приведено описание аппаратуры электромагнитных методов с использованием переменного гармонического тока в диапазоне частот 312,5–2250·10^3Гц, рассмотрен принцип её действия, технические и методические характеристики. Освещена технология работ с этой аппаратурой, рассмотрены вопросы обработки полученных материалов исследования аппаратурой электромагнитных методов, дано их геологическое истолкование с большим количеством примеров.
Предназначено для научных работников в области геофизики, геологии и гидрогеологии, горного дела, мерзлотоведения, мелиорации, а также может быть использовано аспирантами и студентами геофизического профиля и специалистами, профессионально занимающимися поисками и разведкой полезных ископаемых и изучением геологических условий для строительства, горнодобычных работ, водоснабжения, геокриологии и мелиорации, решением вопросов экологии и археологии, в том числе в районах развития многолетней мерзлоты.
Никто не хотел, чтобы эта война началась, но в результате сплетения обстоятельств, которые могут показаться случайными, она оказалась неотвратимой. Участники разгоравшегося конфликта верили, что война не продлится долго и к Рождеству 1914 года завершится их полной победой, но перемирие было подписано только четыре с лишним года спустя, в ноябре 1918-го. Первая мировая война привела к неисчислимым страданиям и жертвам на фронтах и в тылу, к эпидемиям, геноциду, распаду великих империй и революциям. Она изменила судьбы мира и перекроила его карты. Многие надеялись, что эта война, которую назвали Великой, станет последней в истории, но она оказалась предтечей еще более разрушительной Второй мировой. Всемирно известный британский историк сэр Мартин Гилберт написал полную историю Первой мировой войны, основываясь на документальных источниках, установленных фактах и рас сказах очевидцев, и сумел убедительно раскрыть ее причины и изложить следствия. Ему удалось показать человеческую цену этой войны, унесшей и искалечившей миллионы жизней, сквозь призму историй отдельных ее участников, среди которых были и герои, и дезертиры.
В работе рассмотрена возможность работы сварных строу трубок в условиях вакуума. Поведение строу в вакууме рассматривается в рамках теории цилиндрических оболочек. Приведено решение уравнения равновесного состояния строу, описывающее её поведение при действии предварительного натяжения и перепада давления. Решение показывает, что вращение самоподдерживающихся строу происходит за счет момента, действующего на незакрепленные концы. Сделана оценка деформации преднатянутой строу под действием давления. Её натяжение уменьшается пропорционально перепаду давления и коэффициенту Пуассона. Рассмотрено влияние температуры и скорости деформации на механические свойства строу. Указан оптимальный температурный режим для долговременной работы строу в эксперименте.
Описана конструкция детектора высокоскоростных микрочастиц на основе ионизационного принципа измерения. Приведены методика проведения эксперимента и результаты проведенных экспериментов. В частности, в диапазоне скоростей частиц 5002500 м/с минимальные величины сигналов с указанного типа приемника находятся на уровне шумов как 2 к 1, что затрудняет анализ характеристик объекта исследования. Эксперименты по регистрации зарядов при ударе соответствуют расчетным результатам поверхностной ионизации. Минимально регистрируемые заряды ионов находятся на уровне 10-1410-15 Кл. Чувствительность детектора зависит от емкости приемника ионов и свойств мишени. Увеличение входной емкости детектора приводит к снижению уровню входных помех, при этом уменьшается коэффициент усиления входной цепи.
Представлены способы выявления дислокаций в эпитаксиальных слоях гетероструктур теллурида кадмия-ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Путем поочередного селективного и полирующего травления обнаружены краевые дислокации, дислокации смешанного типа с винтовой составляющей и дислокационные петли. Полирующее травление позволило выявить скопление примесей в ГЭС КРТ МЛЭ на границах двойникования. При помощи селективного травления исследованы распределения плотности дислокаций на участках поверхности ГЭС КРТ МЛЭ и определена плотность дислокаций в слоях, которая на разных образцах составила от 3106 до 8106 на один квадратный сантиметр.
Проанализированы особенности построения архитектур лавинных фотодиодов с разделенными областями поглощения (InGaAs) и умножения (InAlAs). Рассмотрены две архитектуры: p+–M–с–i–n+ и p+–i–с–M–n+-типа, реализованные в гетероструктурах (ГЭС) InGaAs/InAlAs/InP. Обязательными для каждой архитектуры являлись три основных слоя: поглощающий (i), зарядовый (c) и умножающий (М). На основе данных ГЭС InGaAs/InAlAs/InP, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ), формировались матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ). Исследования вольтамперных характеристик лавинных элементов в матрицах позволило рассчитать коэффициенты умножения фототока, которые в диапазоне обратных напряжений смещения U = 8—14 В изменялись от 1 до 18—25.
В данном обзоре обобщены основные результаты теоретических и экспериментальных работ, посвященных методам формирования и исследованию свойств низкоразмерных структур BaSi2 на кремнии. Данный дисилицид в силу своих оптических свойств, фотовольтаических характеристик и устойчивости к воздействию атмосферного воздуха признается целым рядом исследователей как перспективный материал для фотопреобразователей солнечных батарей. В результате обзора можно сделать выводы о том, что непрямому переходу BaSi2 соответствуют энергии в 0,83—1,1 эВ, а прямому — 1,23—1,3 эВ, максимальная концентрация зарядов в дисилициде бария с примесью бора — 1020 см-3, а максимальной подвижностью носителей заряда 1000 см2·В−1·с−1. Наибольшее значение КПД обнаружено у тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей на основе структур p-BaSi2/n-Si, которое на данный момент составляет 9—10 %. Отдельно отмечена сложность выполняемых работ при формировании BaSi2. При этом наличие примеси в сформированных образцах может существенно повлиять на их свойства как в положительную, так и отрицательную стороны. В настоящее время активно идет поиск методов формирования данного дисилицида с заданными свойствами, о чем также говориться в статье.
Авторами исследовалась возможность подавления раннего краевого пробоя в планарных лавинных фотодиодах на основе гетероэпитаксиальных структур InP/InGaAs. Для этого использовалась структура с заглубленной центральной частью и мелкой периферией, созданная путем жидкостного химического травления с последующей одностадийной диффузией цинка. Определены скорость травления эпитаксиального InP в различных травителях. Подобран состав травителя и оптимальные режимы его использования. В результате использования жидкостного химического травления верхнего эпитаксиального слоя InP в смеси кислот HCl: HNO3: H3PO4 и одностадийной диффузии Zn была получена конфигурация p–n-перехода с заглубленной на 0,5 мкм центральной областью и мелкой периферией (охранным кольцом) на глубине 1,3 мкм. Таким образом, в результате исследования была показана возможность использования описанного метода для предотвращения раннего краевого пробоя в лавинном фотодиоде на основе гетероструктуры InP/InGaAs, особенно для производства коммерческих ЛФД.
Исследованы методы оптимизации напряжения смещения фотодиодов многорядных и матричных фотоприемных устройств для получения максимального соотношения сигнал/шум или получения минимального количества неработоспособных фотодиодов. Методы основаны на анализе зависимости дифференциального сопротивления фотодиодов от напряжения смещения, построенной по измеренным вольт-амперным характеристикам фотодиодов. Представлено применение методов для оптимизации напряжения смещения фотодиодов в многорядном фотоприемнике формата 6576 на основе КРТ длинноволнового диапазона спектра. Оптимизацию напряжения смещения фотодиодов с использованием данных методов можно проводить в автономном режиме без участия человека.