Исследовано влияние температуры разложения триметила индия на геометрию и морфологию массива квантовых точек InAs, выращиваемых капельным методом на поверхности подложки GaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Подтверждены теоретические расчеты по степени разложения триметила индия при температуре ниже 300 оС.
Излагаются расчетные методы определения параметров термомеханического действия рентгеновского излучения на многослойные гетерогенные преграды в воздушной среде (атмосфере Земли). Основное внимание уделяется изучению влияния гетерогенности на формирование начального профиля давления в преграде. Исследования проводятся с учетом изменения характеристик импульса излучения по мере его распространения в воздухе. Для численного моделирования распространения и поглощения рентгеновского излучения в неоднородной атмосфере и гетерогенных слоях преграды используется метод Монте-Карло. Профили энерговыделения в компонентах гетерогенного материала строятся с учетом перераспределения энергии вторичными излучениями (флуоресцентным и электронным). Рассматриваются методы расчёта начальных профилей термомеханического давления в гетерогенных преградах по заданным законам распределений энерговыделения в компонентах гетерогенного материала. Используется метод элементарной ячейки, объем которой предполагается постоянным. При построении моделей ячеек учитываются: неравновесность энерговыделения и фазовые переходы в компонентах гетерогенного материала, пластичность и пористость связующего, полидисперсность и разрушение (в случае микросферических полых дисперсных включений) наполнителя. Все расчетные результаты работы приводятся для модельных источников планковского или монохроматического рентгеновского излучения и носят иллюстративный характер.
Для специалистов по механике гетерогенных сред и переносу излучения в веществе.
Учебник состоит из двух частей: «Атомная и ядерная физика» и «Ядерные реакторы». В основу его положен конспект лекций, ко торые автор читал в течение нескольких лет в Обнинском политехникуме. В первой части приведены сведения из атомной физики, описаны закономерности строения атомного ядра и радиоактивности, взаимодействие с веществом, регистрация и дозиметрия ионизирую щих излучений, методы ускорения, заряженных частиц, свойства космического излучения и физика нейтронов. Вторая часть знакомит читателя с атомной энергетикой. В ней рассмотрены устройство, физика, работа и конструкция ядерных реакторов, пути развития и экономика атомной энергетики. Третье издание вышло в 1975 г.
Учебник рассчитан на учащихся техникумов физических специальностей, на техников и лаборантов физических лабораторий, на техников и лаборантов, обслуживающих ядерные реакторы и другие атомные установки.
Рассматривается концепция моделирования времени жизни в полупроводниковых структурах InGaAs и CdHgTe. Представлены параметры и коэффициенты, необходимые для расчета времени жизни в гетероэпитаксиальных структурах. Построены аналитические зависимости времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых структурах CdHgTe и InGaAs различного состава в широком диапазоне температур.
В статье исследуется повышенная взаимосвязь между элементами фоточувствительной матрицы. Установлена причина этого явления: смыкание элементов матрицы из-за боковой диффузии. Выбраны оптимальные величины параметров, а именно, глубина диффузии примеси менее 2,5 мкм и расстояние между p+-областями соседних элементов матрицы 1 мкм, что обеспечило минимальный уровень взаимосвязи без потерь в обнаружительной способности.
Определено значение плотности мощности лазерного излучения, превышение над которым приводит к разрушению поверхности чувствительной площадки германиевого лавинного фотодиода. Исследован характер увеличения темнового тока от мощности лазерного воздействия для фотодиодов с различной глубиной залегания p–n-перехода. Показана повышенная стойкость к лазерному излучению фотодиодов с глубоким p–n-переходом.
В НИЦ «Курчатовский институт» работает специализированный источник синхротронного излучения — накопитель электронов «Сибирь-2». Для улучшения потребительских качеств установки на накопитель установлена система подавления когерентных колебаний электронного пучка. Неотъемлемыми частями этой системы являются устройства, воздействующие на пучок посредством электромагнитных полей. Основные моменты разработки одного из таких устройств, называемого ВЧ-кикером, и результаты измерений готового изделия представлены в данной статье.
В работе представлена конструкция и результаты испытания импульсно-периодического резонансного плазменного источника с рабочей частотой 2,45 ГГц на основе магнитной ловушки пробочного типа с постоянными магнитами. Исследовались изменения параметров разряда и температуры электронов аргоновой плазмы в широком диапазоне изменения давления рабочего газа от 1·10-4 до 4·10-3 Торр и падающей мощности СВЧ до 600 Вт. Температура электронов в разряде определялась методом относительных интенсивностей (ЭОС) и двойным зондом в указанном диапазоне изменений падающей мощности и давления. Полученные методом ЭОС зависимости в пределах экспериментальных погрешностей находятся в хорошем количественном и качественном согласии с результатами, полученными методом двойного зонда.
На основе экспериментальных данных и теоретических оценок изучено развитие объемного разряда в Ar атмосферного давления при больших перенапряжениях и удельных энерговкладах. При перенапряжениях более 75 % формируется сильноточный диффузный разряд с удельной мощностью ~107 Вт/см3, плотностью тока ~103—104 А/см2, концентрацией электронов ~1017 см-3 и температурой ~1 эВ. Основным механизмом ионизации является ступенчатая ионизация, а каналом гибели электронов — диссоциативная рекомбинация.
Экспериментально исследованы электрические разряды атмосферного давления между жидким электролитным и металлическим электродами в различных вариантах полярности их подключения к источнику питания. Получены и проанализированы спектры сигналов тока в мегагерцовом диапазоне изменения частоты. Выявлено, что возникновению высокочастотных пульсаций тока сопутствуют явления распыления и эрозии электродов.