На туннельном микроскопе исследованы ВАХ в автоэмиссионном наноконтакте вольфрамовый микрозонд—микрозерно поверхности полупроводников А3В5. ВАХ эмиссии из зёрен GaAs соответствуют теории полевой эмиссии из металлов, а узкозонных InSb и InAs — эмиссии из приповерхностных электронных состояний. В режимах эмиссии и инжекции наблюдались важные для практики явления низкополевой эмиссии и ограничений тока локализованным зарядом. Результаты объясняются в рамках модели кулоновского взаимодействия и локализации лёгких электронов.
Приведены результаты расчета требований к качеству поверхностей входных окон фотоприемных устройств второго поколения средневолнового и дальневолнового инфракрасного (ИК) диапазонов спектра. Для расчета требований был проведен аналитический обзор представленных в России ИК-объективов и фотоприемных устройств. На основе данного обзора были сформулированы требования к современным оптическим системам средневолнового и дальневолнового ИК-диапазонов спектра и проведен их синтез. Расчет требований к качеству изготовления входных окон был проведен на основе анализа допусков синтезированных оптических систем.
Проведено компьютерное моделирование электростатического спектрографа, предложенного автором ранее, в режимах с вынесенным за пределы поля источником заряженных частиц. При линейном возрастании потенциала на дискретном электроде диапазон одновременно регистрируемых энергий Emax/Emin= 50. При этом разрешение по энергии лежит в пределах 0,2—0,6 %.
Собраны задачи по основным разделам курса «Экспериментальные методы ядерной физики». Содержит справочный материал, необходимый для решения задач. Большая часть задач снабжена подробным решением. Подобный сборник задач издается впервые.
Предназначен для студентов старших курсов соответствующих специальностей. Может быть полезен для аспирантов, инженеров и научных работников различных отраслей науки и народного хозяйства, использующих в своей работе ядерно-физические методы.
Проанализировано влияние поверхностных радиационных эффектов в структуре диэлектрик-полупроводник на свойства элементов интегральных микросхем со структурой металл - диэлектрик-полупроводник и элементов биполярных интегральных микросхем. Рассмотрены физические модели, которые можно использовать при проектировании и создании интегральных микросхем, предназначенных для работы в условиях воздействия ионизирующего излучения. Проведен анализ источников излучений и обосновано применение моделирующих установок для исследования радиационных параметров интегральных микросхем.
Для научных работников, инженеров, аспирантов и студентов старших курсов, занимающихся разработкой и применением высокостабильных интегральных микросхем.
Изложены основные методы спектрометрии ионизирующих излучений низких и средних энергий и методы обработки аппаратурных спектров. Особое внимание уделено методам спектрометрии с использованием сцинтилляционных и полупроводниковых детекторов. Систематизированы основные понятия и терминология в области ядерной спектрометрии и рассмотрены методы решения конкретных задач прикладной ядерной физики.
Для студентов физических специальностей и специалистов в области ядерной физики.
В учебнике последовательно описываются этапы развития лучевого поражения биологических систем от первичной стадии поглощения энергии ионизирующих излучений биомолекулами до гибели клетки и организма. Специальная глава посвящена вопросу единиц измерения доз и мощностей доз облучения биологических объектов и систем. Значительное внимание уделено современным представлениям о механизмах действия ионизирующих излучений на клетку и организм в больших и малых дозах. Проблема радиационной биофизики в настоящее время особенно актуальна в связи с последствиями чернобыльских событий и других радиационных аварий, а также острой необходимостью освоения читателем биологических и медицинских аспектов действия ионизирующих излучений на живые организмы и человека.
Для студентов биологов, медиков, физиков, химиков, специализирующихся по радиационной биологии и медицине, а также тех, кто работает на АЭС, на предприятиях и в учреждениях, использующих источники ионизирующих излучений и людей, проживающих в условиях повышенного фона радиоактивности.
Книга посвящена построению детекторов, предназначенных для определения координат места попадания частицы или кванта. Приведена классификация таких устройств и описаны общие принципы их построения. Рассмотрены ионизационные газонаполненные, полупроводниковые, сцинтилляционные позиционно-чувствительные детекторы и детекторы на основе микроканальных пластин. Описаны некоторые электронные узлы, специфичные для этих детекторов.
Рассчитана на специалистов, работающих по созданию приборов для измерения ионизирующих излучений.
Содержит задачи по широкому кругу вопросов атомной и ядерной физики: квантовой природе электромагнитного излучения, волновым свойствам частиц, квантовой механике, атомным спектрам, электронным оболочкам атомов, молекул, кристаллов, физике ядра, нейтронной физике, термоядерным реакциям, элементарным частицам, движению заряженных частиц во внешних полях и др. В этом издании заменены некоторые задачи и включены новые. Увеличено число ответов в общем виде. Шестое издание вышло в 1976 г.
Для студентов, изучающих курс атомной н ядерной физики.
Монография посвящена одной из наиболее молодых отраслей науки, изучающей свойства ядерных излучений в космосе, их воздействие на космонавтов» конструкционные материалы и приборы космического корабля, а также средства защиты от этих излучений.
В книге рассмотрены галактические излучения, излучения Солнца и радиационных поясов Земли. Приведены методы расчета характеристик взаимодействия излучений с веществом, описаны результаты исследований некоторых видов защиты космического корабля.
Книга представляет большой интерес как для специалистов, непосредственно связанных с проектированием защиты космического корабля, так и для широкого круга инженеров и ученых смежных областей: биофизиков, электронщиков, конструкторов и всех тех, кто интересуется проблемами исследования космоса.