Полученные результаты и выводы о характере спектральных проявлений в
инфракрасных колебательных спектрах поглощения, структурных и
конформационных изменений в исследуемых соединениях носят
количественный характер и могут быть использованы для детального
исследования конформационного полиморфизма и межмолекулярных
взаимодействий в изучаемых nЦБ, а также родственных соединениях.
Данные о реализующихся конформациях молекул nЦБ могут быть
использованы при исследованиях родственных соединений или близких по
строению методами молекулярной динамики, квантово-механическими
методами (в приближении теории функционала плотности).
Материалы диссертации могут быть использованы в специальных курсах
для студентов физического факультета, оптиков и теоретиков, как специалистов,
так и магистро
Кинетические уравнения переноса излучений – нейтронов, фотонов и других
частиц [1-3] являются математическим описанием физических законов сохранения.
Кратко, без детализации, эти законы можно свести к двум положениям – это
сохранение числа частиц при их движении без взаимодействия со средой
(дивергентность уравнения переноса) и определенное количественное соответствие
между числом исчезнувших частиц при их взаимодействии со средой и числом вновь
появившихся вторичных частиц (самосогласованность столкновительных членов в
кинетическом уравнении). Точное выполнение законов сохранения в дискретных
моделях переноса и кинетики частиц (консервативность модели) является одним из
наиболее важных аппроксимационных требований. Поэтому при построении
консервативных сеточных аппроксимаций методом баланса [4] кинетические
уравнения переноса частиц [1-3] принято рассматривать в дивергентной форме
([5-18] и др.):
и строго выполнять сеточную дивергентность и сеточную самосогласованность
столкновительных членов N)(r
σ , TN и таким образом обеспечивать консервативность
модели в дискретной форме.
Следующее важное требование, предъявляемое к сеточным аппроксимациям
кинетических уравнений (В.1), заключается в построении и использовании разностных
схем, порядок точности которых не ниже второго на гладких решениях (это требование
обусловлено очень низкой точностью схем первого порядка). Так как уравнение переноса
(В.1) линейное, то невозможно построить линейную разностную схему второго порядка
точности, которая была бы теоретически положительной и монотонной [19].
Немонотонность схем второго порядка точности часто проявляется и в практических
расчетах, поэтому вопрос монотонизации сеточных решений для этого класса схем с
обеспечением хорошей точности расчетов является исключительно актуальным.
Частичным решением проблемы немонотонности сеточных решений для схем второго
5
порядка точности является разработка и локальное по ячейкам сетки применение
«алгоритмов коррекции потока» (АКП) [12]. Однако в АКП очень т
создание программного комплекса для моделирования и прохождения космических лучей в эмульсионной камере
В работе предложено развитие кинематического метода описания автоволн в возбудимых активных средах
сновной объект в теории суперструн — это мировая поверхность
13
струны, следовательно построение и изучение необратимых и полугруп-
повых обобщений супермногообразий и суперконформной дифференци-
альной геометрии представляет собой первоочередную задачу.
В этой связи чрезвычайно актуальной является также проблема
обратного влияния суперсимметрии на теорию полугрупп. Так, подроб-
ное исследование необратимых суперматриц приводит к новым и не-
ожиданным результатам в идеальном строении и теории представлений
суперматричных полугрупп, что, в свою очередь, может способство-
вать последовательному и корректному построению новых суперсимме-
тричных моделей элементарных частиц, основанных на полугрупповых
принципах
Уникальные физические свойства полупроводников открывают большие возможно-
сти их практического применения. Транзисторы, интегральные схемы, квантовые ге-
нераторы и другие полупроводниковые приборы и устройства широко используются
в различных областях науки и техники. В настоящее время все больший интерес
вызывает исследование свойств полупроводников при больших уровнях оптического возбуждения, в частности, изучение свойств полупроводниковых материалов в
присутствии интенсивных электромагнитных волн, генерируемых лазером.
Исследование оптических свойств полупроводников в присутствии сильного ла-
зерного излучения можно отнести к новому виду спектроскопии динамической
когерентной спектроскопии полупроводников. В известном смысле, это следующий
шаг после разработанной ранее спектроскопии полупроводников в квазистатических
классических полях электрическом (электромодуляционная спектроскопия), маг-
нитном и поле механических напряжений. Эта новая динамическая когерентная спек-
троскопия интересна как с фундаментальной, так и с прикладной точек зрения.
Высокая интенсивность лазерного возбуждения приводит к проявлению новых
физических явлений, что подтверждается экспериментами. Для их объяснения тре-
буется привлечение новых теоретических методов и представлений.
Фундаментальный аспект проблемы связан с тем, что интенсивное лазерное из-
лучение приводит не только к генерации в полупроводнике электронно-дырочных
пар, экситонов, фононов, биэкситонов и т.д., но может также радикальным образом изменить основные свойства этих элементарных возбуждений. Это в свою очередь приводит к существенным изменениям оптических и акустических свойств полупроводника в определенных областях спектра. Именно с этим обстоятельством
и связан прикладной аспект когерентной динамической спектроскопии. Речь идет
о возможности контролируемого управления физическими характеристиками полу-
проводника посредством воздействия на него интенсивного лазерного излучения. В
некоторых случаях свойства элементарных возбуждений полу
Получение, обработка, передача и хранение информации является неотъемлемой частью
созидательной деятельности современного общества. Прогресс XX века во многом обусловлен
развитием методов и средств передачи и обработки информационных сигналов с использова-
нием электромагнитных волн [1–5]. Появление полупроводниковой микроэлектроники [6, 7],
лазерной техники [8–12] и оптоволоконных линий связи [13, 14] привело к созданию гло-
бальной сети Интернет, повсеместному распространению средств коммуникации, вычисли-
тельных устройств и персональных компьютеров, цифровых средств радио-электронной и
оптико-электронной регистрации и мониторинга, а также компактных систем хранения дан-
ных. Развитие технологий матричных фото-детекторов типа ПЗС и КМОП привело к по-
явлению цифровой фотографии и цифрового видео. В результате количество генерируемой
и накапливаемой цифровой информации имеет тенденции экспоненциального роста, и по
современным оценкам [15] объём глобальной датасферы к 2025 году может достичь 175 ЗБ
(ЗеттаБайт или 1021 Байт). Параллельно с этим, подчиняясь закону Мура, возрастают требо-
вания к вычислительной способности систем обработки больших массивов данных. Уровень
современных вычислительных задач, требует применение устройств [16] с производительно-
стью 1018 вычислительных операций в секунду (OPS). В этой связи создание сверхшироко-
полосных коммуникационных систем с высокой пропускной способностью и стабильностью,
систем надёжного и компактного хранения данных, а также систем обработки с высокой
вычислительной мощностью и низким энергопотреблением является одними из важнейших
задач в современных информационных технологиях.
Использование света для формирования, передачи и детектирования информационных
сигналов является привлекательным благодаря высокой собственной частоте колебаний элек-
тромагнитных волн оптического диапазона (300 ГГц ÷ 3 ПГц), а также возможности сво-
бодного и независимого распространения световых сигналов по воздуху, в стекле и в других
известных прозрачных мате
It is well known that vanadium oxide can take many different forms. However for this
study, only the amorphous phase was investigated. Amorphous vanadium oxide (VOx ) thin films
were deposited on thermally grown silicon dioxide by DC magnetron sputtering using a
vanadium metal target in an argon / oxygen atmosphere. The driving force of this study was to
investigate the temperature coefficient of resistance (TCR) and low resistivity in the amorphous
films. Sheet resistance is very sensitive to small changes in temperature, making amorphous VOx
very attractive to thermal sensor applications such as infrared detectors.
To form the vanadium oxide, physical vapor deposition of vanadium metal at 200 Watts
of DC power was used with varied amounts of oxygen in a primary argon atmosphere. During
deposition, the concentration of oxygen was controlled by using a 20:80 mixture of O2 and Ar in
conjunction with high purity Ar supply. Flow control techniques were derived and calculated to
predict the percentage of oxygen before and during deposition to understand the reaction
between the vanadium metal and oxygen. Concentrations of O2 in the deposition chamber were
varied from 0.025% to 3.000% with the purpose of gaining an understanding of the affects of O2
concentration in amorphous VOx films. TCR and resistivity measurements were performed to
characterize the films. The results showed a resistivity decrement with decreasing oxygen
concentration. The films with lower concentrations of oxygen were found to have better TCR
values then those with higher percentages of oxygen.
To further reduce the resistivity of the VOx and maintain the TCR value, co-sputtering of
noble metals (gold and platinum) with VOx was studied. The metals were co-sputtered at various
power settings with the vanadium oxide reactive process at a fixed percentage of oxygen. The
iv
TCR and resistivity results showed that the additions of Au and Pt into VOx reduced the
resistivity. However, only Au was found to improve TCR value.
The r
Получение, обработка, передача и хранение информации является неотъемлемой частью
созидательной деятельности современного общества. Прогресс XX века во многом обусловлен
развитием методов и средств передачи и обработки информационных сигналов с использова-
нием электромагнитных волн [1–5]. Появление полупроводниковой микроэлектроники [6, 7],
лазерной техники [8–12] и оптоволоконных линий связи [13, 14] привело к созданию гло-
бальной сети Интернет, повсеместному распространению средств коммуникации, вычисли-
тельных устройств и персональных компьютеров, цифровых средств радио-электронной и
оптико-электронной регистрации и мониторинга, а также компактных систем хранения дан-
ных. Развитие технологий матричных фото-детекторов типа ПЗС и КМОП привело к по-
явлению цифровой фотографии и цифрового видео. В результате количество генерируемой
и накапливаемой цифровой информации имеет тенденции экспоненциального роста, и по
современным оценкам [15] объём глобальной датасферы к 2025 году может достичь 175 ЗБ
(ЗеттаБайт или 1021 Байт). Параллельно с этим, подчиняясь закону Мура, возрастают требо-
вания к вычислительной способности систем обработки больших массивов данных. Уровень
современных вычислительных задач, требует применение устройств [16] с производительно-
стью 1018 вычислительных операций в секунду (OPS). В этой связи создание сверхшироко-
полосных коммуникационных систем с высокой пропускной способностью и стабильностью,
систем надёжного и компактного хранения данных, а также систем обработки с высокой
вычислительной мощностью и низким энергопотреблением является одними из важнейших
задач в современных информационных технологиях
В настоящее время ведущие мировые производители
элементов памяти активно разрабатывают технологию памяти с изменяемым фазовым
состоянием, в основе которой лежит фазовый переход халькогенидное стекло – кристалл.
По сравнению с наиболее распространенной сегодня флэш-памятью, память с
изменяемым фазовым состоянием имеет значительно более высокую скорость записи,
выдерживает приблизительно в 10 тысяч раз больше циклов перезаписи и потенциально
может иметь более высокую плотность записи информации
