Что такое полупроводники? Для чего они нужны и почему все чаще это малознакомое слово появляется в технической литературе и в газетах? Как и где используются полупроводники? Ответы на многие подобные вопросы читатель найдет в этой брошюре. Книжка в общепонятной форме рассказывает о применении полупроводников в технике и в быту. Радиоприемник величиной со спичечную коробку, источник электроэнергии - керосиновая лампа, мороз… согревает комнату. Автор приводит много примеров возможного использования полупроводников. Для того чтобы пояснить принцип работы различных полупроводников и показать особые их свойства, в первых главах книжки коротко изложены основные положения науки о строении вещества и физики процессов электропроводности.
В книге рассматриваются теория и расчет высокочастотных каскадов транзисторных радиопередатчиков. Анализируются режимы работы, транзисторных, генераторов с внешним возбуждением, электрические цепи узко- и широкополосных усилителей мощности, методы сложения мощностей однотипных генераторов, параметрические умножители частоты, транзисторные автогенераторы и основные способы модуляции, применяемые в радиопередатчиках на полупроводниковых приборах. Приводимые в книге материалы теоретического и расчетного характера могут быть использованы при проектировании транзисторных радиопередающих устройств. Книга предназначена для радиоспециалистов и студентов старших курсов вузов радиотехнического профиля.
В брошюре представлен анализ методов синтеза полупроводниковых аналогов реактивностей (индуктивностей, емкостей, трансформаторов), используемых разработчиками радиоэлектронной аппаратуры. Подробно рассмотрен широкий класс управляемых аналогов индуктивности, выполненных в интегральном исполнении. Рассмотрены индуктивности, выполненные на навесных элементах. Материал рассчитан на читателей, интересующихся вопросами производства и применения новой элементной базы современной радиоэлектроники.
В книге собраны статьи А. Ф. Иоффе, относящиеся к двум периодам его деятельности.
В первую часть вошли исследования 1907–1915 гг. по излучению, фотоэффекту и электронам.
Вторая, причем большая по объему, часть содержит около 20 статей, написанных в 1932–1960 гг. Эти статьи посвящены общим проблемам физики полупроводников, их фотоэлектрическим свойствам, тепло- и электропроводности полупроводников, контактным явлениям в них и основам полупроводниковой теплоэнергетики.
Предлагаемая вниманию читателей книга, посвященная основам физики твердого тела, входит в серию книг автора «Квантовая теория молекул и твердых тел». (Ранее, в 1963 г., был издан перевод первой книги этой серии «Электронная структура молекул».)
Автор книги, крупный американский физик-теоретик, специалист в области физики твердого тела, квантовой химии, электроники, известен нашим читателям-физикам по его оригинальным исследованиям и ряду книг, в том числе изданных и в русском переводе.
В данной книге охвачен широкий круг проблем теории твердого тела от классической динамики кристаллической решетки до современных проблем электронной теории. Подробно рассмотрены свойства диэлектриков, полупроводников и металлов. Большое внимание уделяется, в частности, классическим исследованиям, результаты которых полностью сохраняют актуальность и в настоящее время. Важной частью книги является обширная библиография основных оригинальных работ, монографий и учебников по всем разделам физики твердого тела.
По характеру и уровню изложения книга представляет особый интерес для физики твердого тела, предназначенной, с одной стороны, для преподавателей и студентов, а с другой — для научных работников — физиков, как экспериментаторов, так и теоретиков.
С единых позиций исследованы дисперсионные свойства и структура разных типом волн в полупроводниковых пленках с отрицательной дифференциальной проводимостью. Особое внимание уделено ключевой проблеме граничных условий на поверхности дрейфовых потоков носителей заряда.
Для научных работников, преподавателей, аспирантов и инженеров, специализирующихся н области полупроводниковой электроники и радиофизики.
Приведены сведения по теоретическим основам электротехники, электрофизике проводников полупроводников, диэлектриков и ферромагнетиков, общим вопросам электрооборудования технике безопасности, измерениям электрических и магнитных величин, применению вычислительной техники и моделированию в электротехнике и электроэнергетике. Даны основные правила оформления конструкторской документации и сведения по контролю качества электротехнических материалов и изделий Предыдущее шестое издание справочника выпущено в 1980 г. Рассчитан на широкий круг инженеров электриков.
Учебное пособие «Физические основы технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем» охватывает разделы: рост кристаллов и подготовка подложек, окисление, диффузия, эпитаксия, литография, рост тонких пленок, общие закономерности технологии интегральных микросхем, сборка и контроль качества полупроводниковых
приборов и интегральных микросхем. Пособие разработано на основе курса лекций, читаемых в течение ряда лет на инженерно-физическом факультете высоких технологий.
Рекомендуется для студентов и инженерно-технических работников, специализирующихся в области микроэлектроники и физики полупроводников.
Учебное пособие содержит отдельные разделы курса «Оптика полупроводников» и состоит из трех глав. В первой главе рассмотрены общие вопросы взаимодействия излучения с веществом и экспериментальные методы изучения оптических свойств полупроводников. Вторая глава посвящена вопросам межзонного поглощения света в полупроводниках, теоретическому описанию явления и обсуждению данных, полученных из эксперимента. Материалы двух глав содержат примеры и задачи для проработки на семинарах. Третья глава содержит три лабораторные работы, выполнение которых позволит студентам на практике применить полученные знания. Лабораторные работы включают в себя описание лабораторных установок, задания для студентов и список вопросов для контроля.
Учебное пособие предназначено для студентов физических специальностей ИФФВТ УлГУ.
Учебное пособие включает 7 лабораторных работ по курсу «Физика активных элементов».
Предназначено для студентов направлений «Физика», «Радиофизика», «Наноинженерия», «Материаловедение и технологии материалов».
