В настоящей работе выделены основные количественные и качественные характеристики, определяющие информативность и точность передачи изображения объекта контроля при проведении рентгеновских исследований. Перечень характеристик определяется основными требованиями к конверсионным материалам предназначенным для создания рентгеночувствительных панелей, используемых при построении детекторов рентгеновского излучения в цифровых рентгеновских аппаратах различного назначения: для медицинской рентгеновской диагностики, для радиационного неразрушающего контроля в промышленности, контроля пищевых продуктов и т. п. Разработан алгоритм оценки характеристик рентгеноконверсионных материалов. Разработана методика оценки характеристик изображения исследуемого объекта в лабораторных условиях включающая корректировку чувствительности фотосенсора, Gain-калибровку, корректировку дефектных пикселей, получение графиков типовых показателей функции передачи модуляции (MTF) и квантовой эффективности регистрации (DQE). Представленная методика может служить основой для автоматизации процесса оценки характеристик рентгеноконверсионных материалов.
Методами электронографии, электронной и рентгеновской дифракции изучено строение пленок, полученных отжигом в азоте предварительно нанесенных слоев металлического алюминия на (0001) поверхность сапфировых пластин. Пленки нитрида алюминия на подложках сапфира растут, в соответствии с ориентационным соотношением (0001)<10 1 0>AlN║ ║(0001)<11 2 0>Al2O3. Наилучшие результаты были получены при нитридизации алюминиевых пленок на сапфире в режиме нагрева до температуры 1200 °С (со скоростью нагрева ~100 °С/час) и выдержке в течении 1 часа.
Лоуренса Краусса иногда называют Ричардом Докинзом от точных наук. Он серьезный физик-исследователь и один из самых известных в мире популяризаторов науки, с работами которого российский читатель только начинает знакомиться. Уже подзаголовок его книги подчеркивает, что нарисованная наукой картина мира превзошла по величественности все религиозные эпосы. Это грандиозное повествование разворачивается у Краусса в двух планах: как эволюция Вселенной, которая в итоге привела к нашему существованию, и как эволюция нашего понимания устройства этой Вселенной. Через всю книгу проходит метафора Платоновой пещеры: шаг за шагом наука вскрывает иллюзии и движется к подлинной реальности, лежащей в основе нашего мира. Путеводной нитью у Краусса служит свет - не только свет разума, но и само излучение, свойства которого удивительным образом переосмысляются на всех этапах развития науки через теорию электромагнитных волн к теории относительности, квантовой электродинамике, физике элементарных частиц и современной космологии. - от механики
С применением методов термического анализа (ТМА, ТГА, ДСК) проведены сравнительные исследования термостойкости полимерных защитных оболочек оптических волокон (ОВ) различных типов. Показано, что совместное использование методов термического анализа позволяет детально исследовать природу физических процессов, протекающих в защитных оболочках ОВ при термическом воздействии, а также определять температурные границы диапазона термической стабильности ОВ.
Получены полимерные композитные материалы на основе полиэтилена высокой плотности и технического углерода. Исследованы физико-механические и электрические свойства полученных композитов. Обнаружено, что полимерные композиты обладают положительным температурным коэффициентом электрического сопротивления. При этом определено количество технического углерода, необходимое для формирования электропроводящих путей в полимерной матрице. Выявлена зависимость физико-механических и реологических характеристик композитов от содержания технического углерода. Определен концентрационный интервал технического углерода, в котором следует ожидать оптимального сочетания физико-механических, реологических и электрофизических свойств композитов.
Проведен сравнительный анализ спектров поглощения растворов и пленок поливинилхлорида, прошедших термообработку. Показаны и объяснены различия характеристик сопряжённых двойных связей углерода в пленках и растворах. Определены удельные сопротивления пленок. Получены результаты о влияние времени термообработки на спектры поглощения и удельное сопротивление экспериментальных образцов поливинилхлорида.
Проведено исследование спектров пропускания многослойных гетероэпитаксиальных структур на основе тройных твёрдых растворов кадмий-ртуть-теллур. Реализована модель расчета характеристик эпитаксиальных слоев, входящих в состав сложной многослойной гетероэпитаксиальной структуры, из экспериментального спектра пропускания. Для вычисления параметров слоев реализован метод пакетного градиентного спуска. Проведен расчет параметров образцов гетероэпитаксиальных структур, выращенных методами жидкофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии: определены толщины рабочих фоточувствительных слоев с погрешностью не более 0,1 мкм и состав КРТ с погрешностью не более 1 %. Разработанные модели показывают эффективность для экспресс-контроля оптических характеристик образцов полупроводниковых структур.
Показана возможность селективного поверхностного дефектообразования при облучении мягким рентгеновским излучением эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe за счет избирательного воздействия излучения на отдельные атомы поверхности.
Обосновывается необходимость расширения динамического диапазона в МФПУ коротковолнового ИК-спектра. Традиционно применяемые способы обладают низкой эффективностью, в особенности, в крупноформатных матрицах с шагом не более 15 мкм. Наибольшей эффективностью расширения динамического диапазона (до 100 дБ) обладают накопительные ячейки с индивидуально изменяемой передаточной характеристикой в зависимости от яркости фрагментов наблюдаемой сцены. В данной работе предлагается простой в топологической реализации и эффективный способ расширения динамического диапазона, основанный на автоподстройке времени накопления индивидуально в каждой ячейке интегральной схемы считывания. При этом сохраняется высокая крутизна и линейность преобразования в накопительных ячейках с умеренной освещенностью (до 50–70 % от максимального сигнала), но снижается чувствительность в ячейках, близких к насыщению. В результате формируется линейно-логарифмическая передаточная характеристика, обеспечивающая расширенный динамический диапазон. В работе приводятся примеры полученных изображений с расширенным динамическим диапазоном в коротковолновом ИК-спектре.
Рассмотрена возможность создания диода с барьером Шоттки на GaP с низкой высотой барьера для реализации возможности работы в качестве обнаружителя мощных оптических сигналов в среднем ИК-диапазоне. Были проведены исследования влияния увеличения концентрации носителей заряда в области контакта на высоту барьера. В структуру GaP n- и pтипа проводимости были имплантированы различные ионы при разных дозах и энергиях с последующим отжигом в течении 60 минут при температуре 700 оС в азотной среде. Были исследованы CV-характеристики образцов, по результатам которых были определены высоты барьеров. Полученные результаты подтвердили теоретические расчёты. В работе показано, что необходимое снижение высоты барьера «металл–полупроводник» для сдвига спектральной чувствительности GaP в инфракрасную область, может быть получено путем подлегирования контактной области эпитаксиального слоя n-типа проводимости ионами Si с энергией 100 кэВ и дозой (флюенсом) 41014 см-2 с последующим отжигом имплантированного слоя в течении 60 минут в атмосфере N2 при температуре 700 °С. В качестве барьерного металла может быть использована золотая плёнка, напылённая в вакууме. Результаты исследования показали, что увеличения концентрации носителей заряда в области контакта до значений около 1019 см-3 даёт возможность снижения высоты барьера Au-n-GaP до 0,2 эВ.