SciNetwork
  • Поиск
  • Библиотека 598
  • Журналы 20
  • Организации 2
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Формулы
  • Вход
Найти:
Войти Регистрация
Рабочий стол Мои работы Моя библиотека Мессенджер Мои контакты Мои группы Мои подписки Мои конференции Мои фотографии Добавить Мои формулы Мой словарь Мои закладки Моя история
Чтобы продолжить, войдите в аккаунт или зарегистрируйтесь.
Приложение
на телефон

Андреев Дмитрий Сергеевич Andreev Dmitriy Sergeevich

Статусы
Автор
ОНП
темновой ток, плазмохимическая обработка, диффузия, мезаструктура, cv- и iv-характеристики, вакансии
SciID
0000031683
SPIN-код
5420-6812
ORCID
0000-0003-3956-3110
РИНЦ Author ID
1082010
Заходил
показать
Подробнее
Работы
12
Библиотека
7
Блог
0
Конференции
0
Группы
0
Контакты
0
Работы Андреева Д. С.: новые поступления
Изучение процесса диффузии цинка в InP и в гетероструктуры InP/ In0.53Ga0.47As/InP применительно к p─i─n-фотодиодам
Статья
Изучение процесса диффузии цинка в InP и…
Влияние плазмохимической обработки на электрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InGaAsP/InP
Статья
Влияние плазмохимической обработки на эл…
Влияние диффузии серы из подложки InP гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP нa параметры pin-фотодиодов
Статья
Влияние диффузии серы из подложки InP ге…
ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМНОВЫХ ТОКОВ В МАТРИЦАХ ИЗ INGAAS/INP
Статья
ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМНОВЫХ ТОКОВ В МАТРИЦАХ И…
МАТРИЧНЫЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ ПЛАНАРНЫХ ФОТОДИОДОВ ИЗ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ INGAAS/INP
Статья
МАТРИЧНЫЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА…
Вольтамперные характеристики фотодиодов матрицы фоточувствительных элементов планарного типа на основе структуры p-InP/InGaAs/n-InP
Статья
Вольтамперные характеристики фотодиодов …
 
Ещё ...
Библиотека Андреева Д. С.: новые поступления
Влияние плазмохимической обработки на электрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InGaAsP/InP
Статья
Влияние плазмохимической обработки на эл…
Влияние диффузии серы из подложки InP гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP нa параметры pin-фотодиодов
Статья
Влияние диффузии серы из подложки InP ге…
МАТРИЧНЫЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ ПЛАНАРНЫХ ФОТОДИОДОВ ИЗ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ INGAAS/INP
Статья
МАТРИЧНЫЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА…
Уменьшение времени восстановления чувствительности в p–i–n-фотодиодах на основе InGaAs/InP после воздействия мощных импульсных фоновых засветок
Статья
Уменьшение времени восстановления чувств…
Исследование влияния глубины диффузии на параметры матричных фотодиодов на основе InGaAs/InP
Статья
Исследование влияния глубины диффузии на…
Пассивация и защита поверхности фотодиодов на основе In1-xGaxAs1-yPy/InP пленкой нитрида кремния
Статья
Пассивация и защита поверхности фотодиод…
 
Ещё ...
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
Написать
Добавить в контакты
Другие действия
Пожаловаться
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2026
SciNetwork, © 2026
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.