SciNetwork
  • Поиск
  • Библиотека 454
  • Журналы 9
  • Организации 1
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Формулы
  • Вход
Найти:
Войти Регистрация
Рабочий стол Мои работы Моя библиотека Мои сообщения Мои контакты Мои группы Мои подписки Мои конференции Мои фотографии Добавить Мои формулы Мой словарь Мои закладки Моя история
Чтобы продолжить, войдите в аккаунт или зарегистрируйтесь.
Приложение
на телефон

Андреев Дмитрий Сергеевич

Автор
SciID
0000031683
SPIN-код
5420-6812
ORCID
0000-0003-3956-3110
РИНЦ Author ID
1082010
ОНП
темновой ток, cv- и iv-характеристики, плотность микропор, глубина p–n-перехода, рабочее напряжение, двухстадийная диффузия
Заходил
показать
ОНП
темновой ток, cv- и iv-характеристики, плотность микропор, глубина p–n-перехода, рабочее напряжение, двухстадийная диффузия
5
работы
4
библиотека
0
блог
0
конференции
0
группы
0
контакты
Работы Андреева Д. С.: новые поступления
Уменьшение времени восстановления чувствительности в p–i–n-фотодиодах на основе InGaAs/InP после воздействия мощных импульсных фоновых засветок
Статья
Уменьшение времени восстановления чувств…
Исследование влияния глубины диффузии на параметры матричных фотодиодов на основе InGaAs/InP
Статья
Исследование влияния глубины диффузии на…
Пассивация и защита поверхности фотодиодов на основе In1-xGaxAs1-yPy/InP пленкой нитрида кремния
Статья
Пассивация и защита поверхности фотодиод…
Исследование двухстадийной диффузии цинка в гетероструктурах InGaAs/InP
Статья
Исследование двухстадийной диффузии цинк…
ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ КАРДИОРЕСПИРАТОРНОЙ СИСТЕМЫ КВАЛИФИЦИРОВАННЫХ БАСКЕТБОЛИСТОВ И ВОЛЕЙБОЛИСТОВ СПОРТИВНЫХ КОМАНД УНИВЕРСИТЕТОВ
Статья
ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ КАРДИОРЕСПИРАТ…
Библиотека Андреева Д. С.: новые поступления
Уменьшение времени восстановления чувствительности в p–i–n-фотодиодах на основе InGaAs/InP после воздействия мощных импульсных фоновых засветок
Статья
Уменьшение времени восстановления чувств…
Исследование влияния глубины диффузии на параметры матричных фотодиодов на основе InGaAs/InP
Статья
Исследование влияния глубины диффузии на…
Пассивация и защита поверхности фотодиодов на основе In1-xGaxAs1-yPy/InP пленкой нитрида кремния
Статья
Пассивация и защита поверхности фотодиод…
Исследование двухстадийной диффузии цинка в гетероструктурах InGaAs/InP
Статья
Исследование двухстадийной диффузии цинк…
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
Написать
Добавить в контакты
Другие действия
Пожаловаться
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2026
SciNetwork, © 2026
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.