Книга представляет собой обобщение основных выводов, содержащихся в монографиях автора «Восхождение к праву. Поиски и решения», «Самое святое, что есть у Бога на земле. Иммануил Кант и проблемы права в современную эпоху», «Право на пороге нового тысячелетия». Задача книги — в популярной форме рассказать читателю о результатах поисков понимания, сути и развития права. Главное в книге — это попытка раскрыть тайну права, обосновать неодолимость права, его высокую, далеко еще непонятную, должно не оцененную социальную значимость в жизни людей.
Второе издание книги дополнено новыми материалами; наряду с незаменимыми позитивными качествами права отмечены и негативные процессы, которые могут привести к крушению этого важнейшего института и достижения человеческой цивилизации и культуры.
Для ученых и преподавателей, а также студентов вузов, учащихся школ, иных средних учебных заведений и всех, у кого есть интерес к проблемным разработкам, касающимся состояния и развития права в современном мире, его места и роли в жизни людей.
Книга — диалоги между летчиком-космонавтом, Героем Советского Союза А. А. Серебровым и японским философом Дайсаку Икедой.
Диалоги посвящены различным темам: подготовке и тренировкам космонавтов, жизни на орбитальной станции и выходам в открытый космос. Кроме того, в диалогах затрагивается целый ряд серьезных мировых проблем, главной из которых является проблема экологического состояния Земли.
Книга «Юрий Гагарин — человек-легенда» посвящена первому космонавту Земли. Юрий Гагарин не нуждается в представлении. 108 минут полёта в космосе навсегда изменили жизнь Гагарина. Лётчик истребительного авиационного полка в одночасье стал одним из самых знаменитых людей в мире. То, что такие люди принадлежат к нашей нации, вызывает чувство гордости за свое Отечество.
Книга основана на документальных свидетельствах времен начала космической эры: это сообщения из мировой прессы, письма, отчеты, воспоминания современников — как тех, кто близко знал Гагарина, так и кто просто восхищался его удивительным подвигом.
Экспериментально исследованы фотоэлектрические и электрофизические характеристики МДП‐структур на основе гетероэпитаксиальной структуры (ГЭС) HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава CdТе. Показано, что увеличение состава CdТе на поверхности приводит к увеличению дифференциального сопротивления области пространственного заряда для МДП‐структур на основе p-Hg0,78Cd0,22Te. Наибольшее влияние периодических барьерных областей с резко повышенным составом CdТе на электрические характеристики МДП‐структур на основе n-Hg0,7Cd0,3Te проявляется при расположении этих областей вблизи границы раздела диэлектрик—полупроводник.
В работе описан и исследован прототип 128-канального модуля на основе GaAs детекторов ультрафиолетового излучения. Лабораторные испытания модуля показали высокое значение токовой чувствительности арсенид-галлиевого фотоприемника, равное 60— 120 мА/Вт в диапазоне 220—320 нм.
Экспериментально исследована генерация второй оптической гармоники (ГВГ) в гетероэпитаксиальных структурах теллурида кадмия—ртути (КРТ), выращенных методом молекулярно‐лучевой эпитаксии на подложках GaAs. Измерены зависимости интенсивности сигнала ГВГ от направления поляризации излучения накачки и позиции лазерного луча на исследуемых образцах как для монокристаллического слоя КРТ, так и для нанесенного на него функционального поликристаллического слоя CdTe. В первом случае сигнал строго детерминирован монокристалличностью и кристаллографической ориентацией слоя КРТ, а во втором — меняется от точки к точке из‐за неоднородности структуры поликристаллического слоя CdTe.
Спроектирована микросхема считывания для матрицы ИК‐фотодиодов на основе антимонида индия формата 640x512 с размером пикселя 24x24 мкм. Топология кристалла разработана для КМОП‐технологии с проектными нормами 0,8 мкм, одним уровнем поликремния и двумя уровнями металла.
Приведены результаты анодирования кремния и алюминия в кислородной плазме. Плазма образована несамостоятельным тлеющим разрядом с полым катодом, для возбуждения которого при давлении кислорода 20 Па применялся электронный пучок. Плотность тока через анодируемый образец не превышала 1,5 мА/см2, а его температура составляла 200— 250 °С. На поверхности алюминия и кремния формировались сплошные бездефектные пленки Al2O3 u SiO2. Скорости роста слоев окислов составили 150—200 нм/ч для Al2O3 u 400—800 нм/ч для SiO2.
Получены уравнения и произведен расчет поляризации ядер в цепочках изотопа кремния 29Si в матрице 28Si. Поляризация обусловлена сверхтонким взаимодействием спинов ядер с возбужденными триплетными центрами. Предсказана возможность возникновения само-поддерживающейся поляризации ядерных спинов. Установлено, что при варьировании внешним магнитным полем происходит скачкообразное изменение количества поляризованных ядер до 600 раз. Аналогичный скачок величиной до 40 раз возникает также с ростом темпа инжекции носителей заряда.
Рассмотрена математическая модель воздействия мощного импульсного лазерного излучения на многослойную полупроводниковую структуру, состоящую как из прозрачных, так и из поглощающих излучение слоев.