Последние годы характеризуются бурным развитием интегральной микроэлектроники и конструирования радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) на интегральных микросхемах (ИМС). Внедрение в РЭА интегральных микросхем в значительной мере изменило методы проектирования и производства различной радиоэлектронной аппаратуры, повысило ее надежность и экономичность при одновременном уменьшении габаритов и веса. Благодаря интегральным микросхемам значительно расширилось внедрение радиоэлектроники в различные области науки и техники. Целью данного справочника является ознакомление широкого круга специалистов с аналоговыми интегральными микросхемами, получившими наибольшее распространение в различных видах РЭА. В справочнике приведены система обозначений, электрические параметры, характеристики, принципиальные, структурные схемы и схемы включения наиболее распространенных и перспективных аналоговых микросхем. Даны примеры практического использования многих ИМС в различных устройствах РЭА. Для специалистов, занимающихся разработкой, эксплуатацией и обслуживанием РЭА, радиолюбителей.
Книга посвящена наиболее распространенному типу интегральных схем — транзисторно-транзисторным логическим схемам (ТТЛ). В ней дается обзор простейших модификаций схем. Анализируется работа основной схемы И—НЕ со сложным инвертором. Описывается инженерная методика электрического расчета и основные модификации схем со сложными инверторами. Приводится сравнение этих модификаций и даются рекомендации по выбору схемы в зависимости от предъявляемых к ней требований. Описывается типовой состав серии интегральных схем ТТЛ: логические схемы, триггеры, вспомогательные схемы и схемы с повышенной степенью интеграции. Книга предназначена для инженеров, работающих в области проектирования интегральных микросхем и микроэлектронной аппаратуры, и студентов соответствующих специальностей.
Рассмотрены электрохимические и химические процессы модифицирования поверхности и нанесения покрытий в технологии создания наноструктур. Особое внимание уделено процессам анодного окисления и растворения и катодного осаждения материалов, формирования пористых наноструктур. Отдельная лекция посвящена химическому методу формирования полупроводниковых соединений из водных растворов. Представлены различные способы применения низкотемпературных процессов в технологии формирования полупроводниковых структур.
Разработан для основной образовательной программы подготовки магистров по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника», соответствующей тематическому направлению деятельности ННС «Наноэлектроника».
Предназначен для студентов, обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и наноэлектроника» и 150100 «Материаловедение и технология материалов».
В учебное пособие включено описание новых технологических процессов, которые составляют основу современного производства сверхбольших интегральных схем (СБИС) и других устройств кремниевой наноэлектроники. К таким процессам относятся субмикронная литография, ионное легирование, ионное и плазмохимическое травление наноструктур, атомно-слоевое и плазмохимическое осаждение металлов и диэлектриков. Изложены технологические маршруты
формирования СБИС.
Пособие предназначено для слушателей программы переподготовки в области промышленного производства наногетероструктурных монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона и дискретных полупроводниковых приборов, а также может быть использовано при подготовке студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника», 210600 «Нанотехнология», 222900 «Нанотехнология и микросистемная техника».
Учебное пособие будет полезно при подготовке магистров по программам «Твердотельная электроника» и «Наногетероструктурная СВЧ-электроника».
В первой части книги излагаются основные вопросы физики твердотельных систем пониженной размерности, последовательно рассматриваются особенности энергетического спектра частиц, транспортных и оптических свойств и процессы переноса частиц в различных квантово-размерных структурах.
Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников соответствующего профиля, а также для студентов технических университегов.
Рассмотрены общие принципы отыскания неисправностей и ремонта различного электротехнического и электронного оборудования. Описаны основные электроизмерительные приборы, используемые при отыскании неисправностей. Приведены методы определения характера и локализации неисправностей как для аналоговых (источники питания, стереосистемы), так и для цифровых (каналы связи, роботы, микроЭВМ) систем. Для инженерно-технических работников, занятых наладкой и эксплуатацией электротехнического и электронного оборудования.
Сборник содержит описание 14 лабораторных работ и методические указания по их выполнению. В работах исследуются полупроводниковые и электровакуумные приборы и устройства, а также интегральные микросхемы в объеме, предусмотренном программами курсов «Основы промышленной электроники» для неэлектротехнических специальностей втузов.
Излагаются вопросы теории гальвано-магнитных эффектов в режимах ЭДС и тока Холла, в то, м числе в квантующих магнитных полях и в материалах со смешанной проводимостью. Рассматриваются их особенности в неоднородных и неупорядоченных полупроводниках, слоистых структурах. Дается методология интерпретации нормальных и аномальных результатов измерений. Приводятся требования, предъявляемые к исследуемым образцам, анализируются мешающие явления. Рассматриваются способы измерения профиля подвижности и концентрации носителей, а также контактные и бесконтактные методы измерения гальвамомагнитных эффектов. Для научных работников, занимающихся исследованием полупроводников и разработкой полупроводниковых приборов.
Книга посвящена рассмотрению широкого круга физических явлений, определяющих принципы построения и работы РЭА и ЭВА и технологических процессов их изготовления - физической природе механических, тепловых, электрических и магнитных свойств твердых тел и пленок, адгезионной связи и механической стабильности и надежности пленочных структур, природе контактных н поверхностных явлений, термоэлектрических, гальваномагнитных, оптических и фотоэлектрических эффектов и механизму переноса зарядов через тонкие пленки.
Книга является учебным пособием по курсам: “Физические основы конструирования и технологии РЭА” и “Физические основы конструирования и технологии ЭВА”, предназначенным для студентов специальностей: “Конструирование и производство РЭА” и “Конструирование и производство ЭВА”. Она будет полезна и студентам других специальностей, а также широкому кругу специалистов электронной и радиотехнической промышленности.
Учебное пособие состоит из четырех частей. В части I «Полупроводниковые приборы и физические основы их работы» изложены физические принципы организации, работы и использования полупроводниковых диодов и транзисторов: биполярных и полевых. В части 2 «Цифровые и аналоговые интегральные схемы» приведены параметры базовых элементов цифровых ИС, их схемы и сравнительные характеристики, позволяющие определить достоинства и недостатки ИС той или иной логики. Изложены правила алгебры логики, позволяющие описывать функционально различные цифровые устройства и понять основы их синтеза. В части 3 «Усилители и функциональные генераторы» даны основы формирования транзисторных усилителей низкой частоты с емкостной связью; генераторов прямоугольных, треугольных и пилообразных сигналов для передачи информации. Изложены основные принципы построения источников питания для цифровых и аналоговых ИС, электронной аппаратуры и питающей сети для технических средств ЭВМ. В части 4 «Функциональные схемы цифровой электроники» аппаратные средства вычислительной техники описаны на уровне функционального назначения СИСов и БИСов со знанием их алгоритмов и временных диаграмм работы.
Для студентов вузов, обучающихся по специальностям «Технология машиностроения» и «Автоматизированные системы сбора и обработки информации».
