Исследованы зависимости шума и сигнала ИК МФПУ на основе фотодиодов из антимонида индия от температуры фона и времени накопления сигнала. Проведено сравнение полученных экспериментальных данных с расчетом фотоэлектрических параметров ИК МФПУ. Теоретические зависимости рассчитаны с использованием следующих характеристик ИК МФПУ: размеров ФЧЭ и фоточувствительного поля, спектрального диапазона чувствительности, геометрических размеров холодной диафрагмы, темнового тока и квантовой эффективности ФЧЭ. Экспериментальные и расчетные зависимости показали соответствие друг другу при значениях квантового выхода η = 0,46, и суммарного шума мультиплексора и измерительной системы 0,26 мВ, что хорошо согласуется с технологическими, конструктивными и схемотехническими характеристиками МФПУ.
Методами оптической, растровой, атомно‐силовой и электронно‐ионной микроскопии высокого разрешения исследована морфология поверхности эпитаксиальных слоев теллурида кадмия ртути, выращенных молекулярно‐лучевой эпитаксией. Представлены возможные механизмы образования микропустот и V-дефектов. Проведен сравнительный анализ элементного состава и особенностей формообразования V-дефектов.
Исследованы причины появления повышенной емкости pin-фотодиодов на основе InGaAs/InP. Показана связь повышенной емкости с диффузией серы из высоколегированной подложки InP в эпитаксиальный слой InGaAs. Такое неожиданное поведение серы объясняется образованием вакансий при диффузии кадмия в слой InGaAs, которые способствуют увеличению коэффициента диффузии серы в InGaAs.
Проведено сравнение точности различных численных схем решения уравнений движения в ситуациях, типичных для систем формирования винтовых электронных пучков с большим питч‐фактором, когда захваченные в адиабатическую ловушку частицы совершают сотни и тысячи оборотов по ларморовской окружности, и необходимо точное вычисление фазы колебательного движения частиц. Проанализированы такие широко известные методы как метод Бориса, Адамса—Башфорта и различные варианты метода Рунге—Кутты 4, 5 и 7-го порядков. Показано, что при анализе движения частиц длительностью сотни и тысячи периодов циклотронной частоты с ошибкой вычисления фазы осцилляторного движения порядка 0,1 % от периода гирочастоты наиболее экономичным оказывается метод Рунге—Кутты 4-го порядка в модификации правила “3/8”, обеспечивающий указанную точность уже при 15—20 шагах интегрирования на циклотронном периоде.
Представлена методика организации расчета ускорения пучка в циклотроне на основе численного интегрирования уравнений движения. Результатами расчетов являются оценки поперечного размера пучка при ускорении, сделанные на основе анализа величин вертикальных и радиальных свободных колебаний частиц в пучке. Приведены примеры поперечного движения при ускорении.
Представлены электрические разряды, горящие внутри объема электролита, которые имеют перспективное практическое применение. Данные по электрофизическим и спектральным свойствам подводного “торцевого” разряда позволили предложить сценарий формирования и развития разряда, включающий три стадии: рост пузыря, тихий разряд и активная формаразряда.
Проведены экспериментальные исследования воздействия ударных и акустических волн на смесь воды и мазута, а также воды и тяжелой нефти. В ряде экспериментов используемая вода предварительно подвергалась обработке электрическим разрядом. Получены смеси воды и нефтепродуктов со значительным уменьшением вязкости. Устойчивая водно‐мазутная эмульсия сохраняет цвет исходного сырья.
Обнаружена зона накопления микрочастиц по рассеиванию излучения лазера на парах меди в плазме высокочастотного емкостного разряда при напылении многокомпонентных наноразмерных сегнетоэлектрических пленок, которая находится на границе раздела отрицательного свечения и темного катодного пространства тлеющего разряда. Предполагается, что таковыми частицами являются заряженные продукты распыления сегнетоэлектрической мишени.
Проведен сравнительный анализ процессов установления параметров винтовых электронных пучков, формируемых магнетронно-инжекторными пушками с разными углами наклона магнитного поля к поверхности эмиттера. Исследованы режимы с большой долей отраженных от магнитного зеркала электронов. Проанализированы временные зависимости захваченного в адиабатическую ловушку гиротрона пространственного заряда, потенциала в разных сечениях пучка и проходящего в рабочее пространство тока при различной величине холодного питч-фактора. Показано, что переход к формированию пограничных или ламинарных винтовых электронных пучков улучшает устойчивость электронного потока c большими питч-факторами.
Получены выражения для компонент магнитного поля от ВЧ-системы в окрестности медианной плоскости циклотрона. Расчетным образом показано влияние этого поля на параметры пучка при ускорении и на входе в электростатический дефлектор. Для протонного циклотрона С235 величина изменения параметров пучка составила до 50 %.