Книга известного американского специалиста М. Тинкхэма является лучшим в настоящее время учебником по физическим основам фундаментальной и прикладной сверхпроводимости. Последовательно рассмотрены свойства сверхпроводников, начиная с таких традиционных вопросов, как теория Бардина — Купера — Шриффера, теория Гинзбурга — Ландау, сверхпроводники I и II рода, и кончая такими современными проблемами, как эффект Джозефсона и его применения и флуктуационные эффекты.
Для студентов физических, радиоэлектронных и электротехнических специальностей, а также аспирантов, инженеров и научных работников, имеющих отношение к явлению сверхпроводимости.
Предлагаемая вниманию читателей книга, посвященная основам физики твердого тела, входит в серию книг автора «Квантовая теория молекул и твердых тел». (Ранее, в 1963 г., был издан перевод первой книги этой серии «Электронная структура молекул».)
Автор книги, крупный американский физик-теоретик, специалист в области физики твердого тела, квантовой химии, электроники, известен нашим читателям-физикам по его оригинальным исследованиям и ряду книг, в том числе изданных и в русском переводе.
В данной книге охвачен широкий круг проблем теории твердого тела от классической динамики кристаллической решетки до современных проблем электронной теории. Подробно рассмотрены свойства диэлектриков, полупроводников и металлов. Большое внимание уделяется, в частности, классическим исследованиям, результаты которых полностью сохраняют актуальность и в настоящее время. Важной частью книги является обширная библиография основных оригинальных работ, монографий и учебников по всем разделам физики твердого тела.
По характеру и уровню изложения книга представляет особый интерес для физики твердого тела, предназначенной, с одной стороны, для преподавателей и студентов, а с другой — для научных работников — физиков, как экспериментаторов, так и теоретиков.
Явления сверхпроводимости и сверхтекучести, имеющие между собой много общего, привлекают внимание все более широкого круга специалистов — как теоретиков, так и практиков. В предлагаемой книге эти явления рассматриваются параллельно.
Не прибегая к сложным математическим расчетам, авторы дают свежее и яркое описание свойств сверхпроводников и сверхтекучего гелия.
Книга рассчитана на студентов-старшекурсников и аспирантов, изучающих физику низких температур; вместе с тем она представляет интерес для специалистов в этой области, а также для читателей-неспециалистов, желающих познакомиться с одним из наиболее важных направлений современной физики.
Данная монография посвящается электромагнитным процессам в веществе, при рассмотрении которых нельзя отвлечься от взаимного влияния окружающих атомов.
Рассмотренные в монографии вопросы в основном относятся к физике высоких энергий, хотя методы и идеи, изложенные в книге, применяются и для нерелятивистских частиц.
Рассмотрению конкретных вопросов предшествует изложение метода псевдофотонов.
Далее излагаются вопросы когерентного тормозного излучения и рождения электронно-позитронных пар в монокристаллах.
Подробно рассмотрен так называемый „эффект плотности“.
В монографии излагается теория переходного излучения на одной границе и для пластинки вещества.
Большое внимание уделяется рассмотрению вопросов электромагнитного излучения при движении заряженных частиц через произвольную неоднородную среду.
Приводится обзор экспериментальных результатов, относящихся к вопросам, изложенным в монографии.
Книга представляет интерес для студентов старших курсов, аспирантов, научных сотрудников, работающих в области физики высоких энергий, электромагнитных излучений и твердого тела.
В монографии рассматриваются процессы генерации, движения и рекомбинации неравновесных носителей тока в полупроводниках.
Основное внимание уделено рассмотрению процессов рекомбинации через локальные центры, прилипания, диффузии и дрейфа неравновесных носителей тока в электрическом и магнитном полях и в связи с этим описанию явлений фотопроводимости (собственной и примесной), фотоэлектродвижущих сил, а также методов экспериментального исследования кинетики фотоэлектрических процессов.
Книга рассчитана на физиков и инженеров, занимающихся полупроводниками.
Книга содержит систематическое изложение современных исследований по сверхпроводимости второго рода. Авторы отдельно рассматривают обратимые (первая часть) и необратимые (вторая часть) процессы.
Обратимые процессы рассматриваются в рамках феноменологической теории Гинзбурга — Ландау, которая в данном случае позволяет хорошо описать явления, происходящие в сверхпроводнике. Микроскопическая теория используется в гл. 5 и 6 в основном только для вывода уравнений и параметров теории Гинзбурга — Ландау из первых принципов. Для необратимых процессов часто еще не существует удовлетворительного теоретического описания, поэтому авторы прибегают к полуколичественному рассмотрению явлений.
Несмотря на то что в последние годы сверхпроводимость второго рода активно изучается, книг по этому вопросу мало. Поэтому данная монография представляет интерес для широкого круга научных работников — физиков и инженеров, занимающихся изучением и практическим применением сверхпроводимости.
В монографии обобщены результаты математического и физического моделирования процессов механики при получении кристаллических материалов рядом технологически значимых промышленных технологий (выращивание технически ценных монокристаллов из расплава для микроэлектроники и из солевых растворов для фотоники, термическое прессование и кристаллизация из порошков для получения термоэлектрических материалов).
Приводятся результаты исследования влияния основных управляющих воздействий на гидромеханику жидкой фазы (расплава и солевого раствора), включая управление вращением кристалла, тигля и различного рода мешалок, тепловой секционный нагрев стенок тигля, сложные конструкции кристаллизатора, применение магнитных полей и условия микрогравитации.
Рассмотрены пути, обеспечивающие оптимизацию конструктивных узлов и технологических параметров, управляющих процессами переноса тепла и массы в жидкой и твердой фазах, включая значения напряжений соотношением их амплитуд деформациях в твердой фазе.
Рассматриваются программные комплексы для математического моделирования, в том числе с использованием дистанционной работы.
Монография предназначена для специалистов в области технологии кристаллических материалов, механики, теоретической физики, а также аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
Книга представляет собой элементарно написанный учебник по формализму квантовополевой формы теории возмущений, развиваемой для многоэлектронных систем общего вида (представление вторичного квантования, операторы рождения и уничтожения, фейнмановские диаграммы, одно- и двухэлектронные функции Грина).
Этот формализм в книге излагается применительно к теории свободного электронного газа в металлах. В частности, в книге подробно обсуждаются теория Бома–Пайнса и теория Гелл-Мана–Бракнера корреляционной энергии основного состояния этого газа.
Книга написана ясно, с подробным и полным проведением промежуточных вычислений, обычно опускаемых другими авторами. Ее можно рекомендовать студентам младших и старших курсов и аспирантам физико-математических специальностей, а также всем тем, кто хотел бы более подробно познакомиться с этой интересной областью теоретической физики.
Автор книги Дж. Рейсленд — сотрудник физического факультета университета в Эссексе (Англия) — известен своими работами в области динамики решетки.
Автору удалось в доступной форме изложить принципиальные основы, методы и применения динамики решетки к широкому кругу вопросов физики кристаллов. Данная книга выгодно отличается от других, посвященных фононам, «физичностью» изложения даже в главах, наиболее насыщенных математическим формализмом.
Книга доступна не только теоретикам, но и экспериментаторам. Она будет полезна учащимся (студентам и аспирантам) и специалистам, уже работающим в различных областях физики твердого тела и ее приложений.
Работа содержит результаты теоретического и экспериментального исследования теплообмена в зоне контакта твердых тел. Рассматриваются специфические особенности теплообмена через зону контакта при контакте поверхностей с волнистостью и макронеровностями, наличии окисных пленок, длительном воздействии нагрузки, начальных и последующих приложений нагрузки.
Выведенные расчетные зависимости для ряда указанных случаев теплового контакта подвергались детальной экспериментальной проверке. Главное внимание при составлении работы было уделено выявлению физической сущности теплопередачи через зону контакта во всех специфических случаях контактирования и изложению инженерных методов расчета и искусственному изменению термического сопротивления.
Приводятся практические рекомендации по использованию полученных результатов в различных отраслях промышленности. Книга рассчитана на инженеров и научных работников, работающих в области теплопередачи.
