Исследована частотная полоса двух вариантов брэгговского расщепления двухцветного излучения, когда падающее излучение распространяется как вблизи оптической оси кристалла, так и вдали от оси. Теоретически показано, что второй вариант обеспечивает полосу частот на порядок выше полосы первого варианта. Экспериментальное сравнение характеристик обоих вариантов выполнено на базе одной акустооптической ячейки, изготовленной из монокристалла ТеО2. Предложен и экспериментально проверен вариант брэгговского расщепления двухцветного излучения Ar-лазера с подавлением нулевых дифракционных порядков.
Предложена модель и проанализированы колебания намагниченности ферромагнитных однодоменных дисков в приближении макроспина под действием спин‐поляризованного тока и однородных продольных упругих механических напряжений. Показано, что приложение постоянных механических напряжений приводит к изменению порогового тока переключения направления намагниченности почти на порядок либо переводит структуру в состояние периодических колебаний намагниченности с частотами 1—30 ГГц. При приложении периодических механических напряжений характер колебаний намагниченности меняется на квазипериодический или хаотический.
Представлена электродинамика низкотемпературной плазмы, включающая квантованное продольное электромагнитное поле и содержащая безразмерный квантовый параметр. Таковым является безразмерный заряд, обратно пропорциональный средней квадратичной скорости электронов в плазме и по величине превышающий единицу. Таким образом, ставятся под сомнение результаты численных расчетов, основанных на теории возмущений.
Изложены результаты исследования фотолюминесцентных свойств нанокомпозиций на основе поливинилиденфторида (ПВДФ )и полипропилена (ПП), обработанного под действием разрядной обработки в воздушной среде выше пробивной прочности воздуха и наполнителя CdS в интервале длин волн λ = 300—1000 нм. Установлено, что в зависимости от времени разрядной обработки порошков полимера интенсивность фотолюминесценции увеличивается до 1 ч, а затем уменьшается. Проведено сравнение спектров люминесценции нанокомпозиций на основе ПП+CdS и ПВДФ+CdS. Определено, что полярность полимера при прочих равных концентрациях существенно влияет на фотолюминесцентные (ФЛ) спектры нанокомпозиции. Экспериментально установлено, что в ФЛ‐спектрах в основном меняется амплитуда максимума, связанная с толщиной и свойствами приграничного слоя и с рекомбинацией через уровни дефектов в матрице и наночастиц CdS.
Представлено теоретическое исследование фоновых облученностей матрицы фоточув-ствительных элементов (МФЧЭ) с тремя типами холодных диафрагм, необходимое при разработке матричных фотоприемных устройств (МФПУ). Первые два типа являются стандартными, а третий — предлагается автором. Показано, что фоновая облученность имеет полезную и паразитную компоненты. Полезная компонента определяет величину сигнала, а сумма полезной и паразитной компонент вместе с темновым током ФЧЭ — величину шума конкретного устройства. Определение их величин необходимо для оценки фотоэлектрических параметров МФПУ. Проведен сравнительный анализ этих компонент фоновой облученности для указанных типов диафрагм.
Рассмотрены технология получения, структурные и фотоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных слоев сульфида цинка на арсениде галлия. Показано, что спектральная характеристика изотипных гетероструктур n-ZnS—n-GaAs имеет три максимума с длинами волн 750, 450 и 335 нм. При переходе из длинноволновой области в коротковолновую область излучения и обратно происходит смена знака фотоответа. Вид спектральной характеристики изотипной гетероструктуры n-ZnS—n-GaAs зависит от знака и величины приложенного напряжения.
Отмечена тенденция к увеличению форматов и уменьшению размеров пикселей матричных фотоприемных устройств (ФПУ). Проведена оценка необходимых технологических норм, размеров кристалла и ожидаемого выхода годных интегральных схем (ИС) мультиплексоров для различных форматов и типов ФПУ. Показаны необходимость и пути технологической модернизации изготовления ИС мультиплексоров и проведена оценка необходимых финансовых затрат.
Рассмотрено современное состояние и научно‐технологические предпосылки развития ряда базовых технологий инфракрасной фотоэлектроники: полупроводниковых фоточувствитель-ных материалов, твердотельных фотопреобразователей для ИК-, УФ- и терагерцовой областей электромагнитного излучения, многоспектральных и быстродействующих приборов, метаматериалов и нанотехнологий для создания новых классов оптико‐электронной аппаратуры. Представлены результаты создания ряда фотоприемных устройств, “смотрящих” и ВЗН‐матриц из Cd02Hg08Te, InSb, InGaAs, GaPAs, PbS, PbSe, Si и Ge для областей спектра 8— 12, 3—5, 1—2 мкм с числом элементов 2x96, 2x256, 4x288, 2х(2х288), 6x576, 128x128, 256x256, 320x256, 384x288 и других систем цифровой обработки и синтеза изображений, матричных формирователей тепловизионного видеосигнала на их основе.
Приведены результаты расчета интенсивных электронных пучков в пространстве взаимодействия и в многоступенчатом коллекторе лампы бегущей волны (ЛБВ) по комплексу взаимосвязанных программ. Отличительной особенностью комплекса является модель многоскоростного по поперечным составляющим скорости электронного потока в пространстве взаимодействия и определение огибающих электронного пучка, содержащих заданный процент тока. Проведено сопоставление расчетных и экспериментально измеренных характеристик электронного пучка в ЛБВ.
Описано явление накачки квантовой составляющей энергии движения частиц, совершающих инфинитное движение. При взаимодействии пучка электронов с лазерным излучением на частоте осцилляций плотности вероятности должна наблюдаться резонансная пространственная перестройка пучка, увеличивающая квантовую составляющую энергии движения.